M3032316045NX0IBCY, NVRAM, 32MB, Overflademontering, 2,7 V til 3,6 V, -40 °C til +85 °C, 48 Ben, FBGA

Renesas M3xxx316 er en magnet-resistiv RAM (Random Access Memory). Den tilbydes i tæthed fra 4 Mbit til 32 Mbit. MRAM-teknologi svarer til flash-teknologi med SRAM-kompatibel 35 ns/35 ns og 45 ns/45 ns læse-/skrivetider (vedvarende SRAM, P-SRAM). Data er altid ikke-flygtige. Dette gør MRAM til en meget pålidelig og hurtig ikke-flygtig hukommelsesløsning. MRAM er en ægte Random Access-hukommelse

Ideel til anvendelser, der skal gemme og hente data uden at medføre store latenstider grænseflade er parallel Asynchronous x16-teknologi, der anvendes, er 40 nm pMTJ STT-MRAM driftsspændingsområdet 2,70 V til 3,60 V pakketypen er 48-kugle FBGA (10 mm x 10 mm) i overensstemmelse med RoHS og REACH