STMicroelectronics EVALSTGAP2DM Demonstration Board til STGAP2DM til Stgap2dm Isoleret Halvbro-Gate

Gate-driveren er kendetegnet ved 4 A strømkapacitet og skinne-til-skinne udgange, hvilket gør enheden også velegnet til anvendelser med høj effekt, f.eks. motordrivere i industrielle anvendelser, der er udstyret med MOSFET, IGBT eller SiC effektafbrydere. Enheden integrerer beskyttelsesfunktioner: Dedikerede SD- og BREMSESTIFTER er tilgængelige, UVLO og termisk nedlukning er inkluderet for nemt at designe systemer med høj pålidelighed, og den sammenlåsende funktion forhindrer udgange i at blive høje på samme tid. Enheden gør det muligt at implementere negativ gate-kørsel, og de indbyggede isolerede DC-DC-konvertere gør det muligt at arbejde med optimeret kørselsspænding for MOSFET, IGBT eller SiC. EVALSTGAP2DM-kortet gør det muligt at evaluere alle STGAP2DM-funktioner, mens der køres på et halvbro-effekttrin med en mærkespænding på op til 1700 V i et TO-220- eller TO-247-hus.