Infineon EVAL1ED3491MX12MTOBO1 MOSFET gate-driver til 1ED3491MX12M til Motorer

Infineon EVAL-1ED3491MX12M er i halvbro-konfiguration med to gate-driver-IC'er (1ED3491MU12M) til at drive effektswitche som Si MOSFET'er, IGBT'er og SiC MOSFET'er. Kontakttypen kan vælges frit. Kortet har en størrelse på 85 x 55 x 15 mm, uden at der er monteret en strømafbryder. TRENCHSTOP IGBT IKW40N120H3 eller CoolSiC MOSFET IMW120R030M1H anbefales. Dette kort er bedst egnet til dobbelt pulstest og evaluering. Lavspændingsforsyningsinterfacet kan styres af en impulsgenerator, en mikrokontroller eller et andet passende digitalt kredsløb. Evalueringskortet har en strømforsyning til de primære og sekundære sider implementeret.

Nedlukning ved overophedning ved 160 °C (±10 °C)
Tæt overensstemmelse mellem IC-til-IC-signalforsinkelse (maks. 30 ns)
Høj common-mode transient-immunitet CMTI >200 kV/μs
Velegnet til drift ved høje omgivelsestemperaturer op til 125 °C.
Muliggør hurtige designcyklusser på grund af lavt antal eksterne komponenter og tilbyder stadig justerbar DESAT med soft-off-funktionalitet

984