Infineon EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 EVAL-1ED020I12F2-DB IGBT gate-driver til Enhanced isolated driver 1ED020I12-F2 til

Infineon CoolSiC's evalueringsplatform anden revision i en høj-/lav-side konfiguration med to gate-driver IC'er (1ED020I12-F2). Denne platform er udviklet til at vise den optimale kørsel af CoolSiC MOSFET'er eller andre effektafbrydere som IGBT og MOSFET i TO247 3-bens eller 4-bens hus. For at nå dette mål blev designet opdelt i to kort, et motherboard EVAL-PS-DP-MAIN og et datterkort, EVAL-1ED020I12F2-DB. Den modulære tilgang muliggør fremtidig udvidelse af platformen med yderligere gate-driver-kort. Kontakttypen kan frit vælges. Understøtter isoleret gate driver datterkort med 1ED020I12-F2 til evaluering af 1200 V CoolSiC MOSFET. EVAL-1ED020I12F2-DB er en del af CoolSiC-evalueringsplatformens anden revision i en høj-/lavsidekonfiguration med to gate-driver-IC'er (1ED020I12-F2).

Enkeltkanals isoleret gate-driver IC (1ED-F2)
2 A skinne-til-skinne typisk udgangsstrøm
Præcis DESAT-beskyttelse, VCEsat-detektion
Aktiv Miller-klemme
Aktiv nedlukning og kortslutningsspænding
28 V absolut maks. udgangsspænding
170/165 ns typ. signalforsinkelse

Denne platform er udviklet til at vise den optimale kørsel af CoolSiC MOSFET'er eller andre effektafbrydere som IGBT og MOSFET i TO247 3-bens eller 4-bens hus. For at nå dette mål blev designet opdelt i to kort, et motherboard EVAL-PS-DP-MAIN og et