Renesas Electronics HIP2211EVAL2Z 3A Source, 4A Sink, 100V, High Frequency Half-Bridge Drivers with HI/LI or Tri-Level

Renesas Electronics-kortene er designet til at give en hurtig og omfattende metode til evaluering af HIP2211 100V, højfrekvens half-bridge driver til at drive Gates af to N-kanal MOSFET'er i en half-bridge konfiguration. To N-kanal MOSFET'er (med dobbelt bundareal, der understøtter flere pakker som f.eks. TO220 og DPAK) og et LC-filter med spolekondensator er inkluderet på evalueringskortene for at muliggøre evaluering af en halv-bro-drevet belastning som f.eks. en synkron buck switching-regulator. Den HIP2211 half-bridge driver tilbydes i en 8 ld SOIC, 8 ld DFN eller 10 ld DFN pakke (med forbedret EPAD termisk). Dette evalueringskort er designet til 10 ld DFN-pakken. 8 ld DFN-pakken kan også være på dette kort. Begge kort fungerer fra en forsyningsspænding på 6V til 18V DC med mulighed for at drive både high-side og low-side MOSFET'er i en 100V half-bridge konfiguration.

3A kilde og 4A vask NMOS gate drivere
Intern niveauomsætter og bootstrap-diode til gate-driver på høj side NFET
Op til 100V høj-side bootstrap-reference
6V til 18V bias-forsyningsdrift
Hurtig 15ns typisk signalforsinkelse og 2ns typisk signalforsinkelse understøtter op til 1MHz drift