Infineon RF switch kreds, 10 Ben TSNP

Se alle RF IC'er
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 101,00

(ekskl. moms)

Kr. 126,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 8.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 20Kr. 5,05Kr. 101,00
40 - 80Kr. 4,63Kr. 92,60
100 - 220Kr. 4,275Kr. 85,50
240 - 480Kr. 3,972Kr. 79,44
500 +Kr. 3,86Kr. 77,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4780
Producentens varenummer:
BGS14PN10E6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

RF switch kreds

Teknologi

RF

Modulationsteknik Modulationstype

QAM

Emballagetype

TSNP

Benantal

10

Monteringstype

Overflade

Driftsfrekvens 1

0.5GHz

Forsyningsspænding min.

1.8V

Forsyningsspænding maks.

3.6V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

85°C

Standarder/godkendelser

RoHS and WEEE

Serie

BGS14PN10

Højde

0.38mm

Bredde

1.5 mm

Længde

1.1mm

Antal driftsbånd

1

Bilindustristandarder

Nej

Infineon BGS14PN10 er en 1-polet 4-polet (SP4T) højlineær RF-switch med høj effekt, der er optimeret til mobiltelefonapplikationer op til 6,0 GHz. Denne enkeltforsynings-chip integrerer on-chip CMOS logik, der drives af to enkle CMOS eller TTL kompatible styreindgangssignaler. I modsætning til GaAs-teknologi overstiger 0,1 dB kompressionspunktet switchens maksimale indgangseffektniveau, hvilket resulterer i lineær ydeevne på alle signalniveauer, og eksterne DC blokerende kondensatorer på RF-portene er kun nødvendige, hvis jævnspænding anvendes eksternt.

Der kræves ingen DC-afkoblingskomponenter, hvis der ikke er en ekstern DC

Anvendes på RF-porte

Høj ESD-robusthed

Lav harmonisk generation

Stor linearitet

Relaterede links