Infineon RF switch kreds, 10 Ben TSNP
- RS-varenummer:
- 222-4779
- Producentens varenummer:
- BGS14PN10E6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 7500 enheder)*
Kr. 15.480,00
(ekskl. moms)
Kr. 19.350,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 7.500 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 7500 + | Kr. 2,064 | Kr. 15.480,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4779
- Producentens varenummer:
- BGS14PN10E6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | RF switch kreds | |
| Teknologi | RF | |
| Modulationsteknik Modulationstype | QAM | |
| Emballagetype | TSNP | |
| Benantal | 10 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Driftsfrekvens 1 | 0.5GHz | |
| Forsyningsspænding min. | 1.8V | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Højde | 0.38mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS and WEEE | |
| Serie | BGS14PN10 | |
| Længde | 1.1mm | |
| Bredde | 1.5 mm | |
| Antal driftsbånd | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype RF switch kreds | ||
Teknologi RF | ||
Modulationsteknik Modulationstype QAM | ||
Emballagetype TSNP | ||
Benantal 10 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Driftsfrekvens 1 0.5GHz | ||
Forsyningsspænding min. 1.8V | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Højde 0.38mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS and WEEE | ||
Serie BGS14PN10 | ||
Længde 1.1mm | ||
Bredde 1.5 mm | ||
Antal driftsbånd 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon BGS14PN10 er en 1-polet 4-polet (SP4T) højlineær RF-switch med høj effekt, der er optimeret til mobiltelefonapplikationer op til 6,0 GHz. Denne enkeltforsynings-chip integrerer on-chip CMOS logik, der drives af to enkle CMOS eller TTL kompatible styreindgangssignaler. I modsætning til GaAs-teknologi overstiger 0,1 dB kompressionspunktet switchens maksimale indgangseffektniveau, hvilket resulterer i lineær ydeevne på alle signalniveauer, og eksterne DC blokerende kondensatorer på RF-portene er kun nødvendige, hvis jævnspænding anvendes eksternt.
Der kræves ingen DC-afkoblingskomponenter, hvis der ikke er en ekstern DC
Anvendes på RF-porte
Høj ESD-robusthed
Lav harmonisk generation
Stor linearitet
Relaterede links
- Infineon BGS14PN10E6327XTSA1 RF switch kreds, 10 Ben TSNP
- Infineon RF switch kreds, 10 Ben TSNP
- Infineon BGSA11GN10E6327XTSA1 RF switch kreds, 10 Ben TSNP
- Infineon BGSA14GN10E6327XTSA1 RF switch kreds, 10 Ben TSNP
- Infineon RF switch kreds, 10 Ben ATSLP
- Infineon BGSX22G5A10E6327XTSA1 RF switch kreds, 10 Ben ATSLP
- Infineon RF switch kreds, 6 Ben TSLP
- Infineon RF switch kreds, 9 Ben ATSLP
