Renesas Electronics F2933NBGP RF-omskifter, 16 ben VFQFPN

Renesas Electronics RF-omskifter er en meget pålidelig, lavt isætningstab, 50 Ω SP2T absorberende RF-omskifter, der er designet til en lang række markeder og anvendelser. Denne enhed dækker et bredt frekvensområde fra 50 MHz til 8000 MHz, har et driftstemperaturområde på -40 til 105 °C og et bredt forsyningsspændingsområde på 2,7 - 5,5 V dc. RF-kontakten er designet til håndtering af høj effekt og har en P1 dB så høj som 36,5 dBm, der understøtter en spids driftseffekt på 34 dBm i gennemgangsbanen og en varm skifteffekt på 27 dBm i den terminerede RF-port. Ud over at give lavt isætningstab giver RF-kontakten også høj isolation og lav forvrængning, samtidig med at den giver en 50 Ω terminering til de ubrugte RF-porte. RF-kontakten bruger en enkelt positiv forsyningsspænding, der understøtter tre logiske styreben ved hjælp af enten 3,3 V eller 1,8 V styrelogik.

Dobbelt symmetrisk bredbånds, absorberende RF-porte
RFC-RFX isolation på 67 dB
Indskudstab på 0,79 dB
Høj kontinuerlig RF CW strømstyrkehåndtering
3,3 V og 1,8 V kompatibel styrelogik
Driftstemperatur på -40 °C til +105 °C