STMicroelectronics STPSC10H12WL Diode, 1200V SiC Schottky, 10A, 2-Pin DO-247LL 2.25V

SiC-diode, der er tilgængelig i TO-220AC, DPAK HV, D²PAK og DO-247 LL, er en ultrahøjtydende Schottky ensretter. Den er fremstillet vha. et siliciumkarbidsubstrat. Det brede båndgabs materiale muliggør design af en lav VF Schottky-diodestruktur med en 1200 V normering. På grund af Schottky konstruktionen vises ingen genoprettelse ved slukning, og ringemønstrene er ubetydelige. Den minimale kapacitive funktion ved slukning er uafhængig af temperaturen. ST SiC-dioden er specielt velegnet til brug i PFC og sekundære sideanvendelser og vil øge ydelsen under hårde omkoblingsforhold. Denne ensretter vil forbedre ydelsen af målrettet anvendelse. Dens høje, fremadrettede stødstrømskapacitet sikrer en god robusthed under transientfaser

Ingen eller ubetydelig omvendt genopretning
Switching-adfærd uafhængig af temperatur
Robust højspændingsperiferi
Fungerer fra -40 °C til 175 °C
Lav VF