Infineon IDW20G120C5BFKSA1 Diode, 1200V SiC Schottky, 20A, 3-Pin TO-247

Infineon CoolSiC™ Schottky-diode generation 5 1200 V, 20 A i et TO-247-3 hus præsenterer en førende teknologi til SiC Schottky barrieredioder. Den tynde wafer-teknologi, der allerede er introduceret med G2, kombineres med et flettet pn-vejkryds, der forbedrer mulighederne for overspænding i dioden. Resultatet er en række produkter, der leverer markedsførende effektivitet og større systempålidelighed til en attraktiv pris.

Klassens bedste gennemgangsspænding (VF)
Ingen returladning
Mild positiv temperaturafhængighed af VF
Klassens bedste stødstrømskapacitet
Fremragende termisk ydelse