Infineon IDWD10G120C5XKSA1 Diode, 1200V SiC Schottky, 10A, 2-Pin TO-247

Infineon CoolSiC™ Schottky-dioder generation 5 1200 V, 10 A fås nu i et TO-247 ægte 2-benet hus, der gør det nemt at udskifte bipolære Si-dioder, der ofte bruges i dag. De udvidede 8,7 mm krybe- og frigangsafstande i den nye pakke giver ekstra sikkerhed i miljøer med høj forurening. Kombineret med en Si IGBT eller super-junction MOSFET, f.eks. i et Wien-ensrettertrin eller PFC-boost-trin, der anvendes i 3-fasede konverteringssystemer, øger en CoolSiC™-diode effektiviteten med op til 1 % sammenlignet med det næstbedste Si-diodealternativ.

Ingen returstrøm i bakgear, ingen genoprettelsesspænding i fremadgående retning
Temperaturuafhængig switching-adfærd
Lav gennemgangsspænding selv ved høj driftstemperatur
Stram fordeling af gennemgangsspænding
Kapacitet til håndtering af høj transientspænding
Ægte 2-benet hus med 8,7 mm krybeafstand og frigangsafstande