onsemi MBR130T3G Diode, 30V Schottky barriere, 1A, 2-Pin SOD-123FL 450mV

Denne ON Semiconductor Schottky-effekts-ensretter anvender Schottky-barrieremprincippet ved hjælp af et barrieremetal for at skabe det bedste spændingsfald i fremadgående retning − ombytning af strøm i omvendt retning. Velegnet til lavspændings-, højfrekvens-ensretning samt friløb- og polaritetsbeskyttelsesdiode i en række overflademonterede anvendelser, hvor en mere kompakt størrelse og vægt er afgørende.

• Blyfri
• Designet Til Optimal Automatisk Kortsamling
• Beskyttelse Mod Belastning
• Epoxystøbt Hus
• Let 11,7 mg pakke

Produkter, der starter med NSV-, SBR- eller S-med foran producentens varenummer, er AEC-Q101 godkendt til brug i biler.

on Semiconductor MBR130 enheden anvender Schottky barrieregningen med en metal-til-silikone-effektdiode med stort område. Velegnet til lavspændings-, højfrekvens-ensretning eller som friløb- og polaritetsbeskyttelsesdioder i overflademonterede anvendelser, hvor kompakt størrelse og vægt er afgørende for systemet.

Beskyttelse til beskyttelse mod stress
Lav spænding i gennemgangsretning