Intelligent Memory AEC-Q100 Klasse 1, SDRAM, 256 MB, Overflade 16 bit, 85 °C, -40 °C, 90 Ben, FBGA
- RS-varenummer:
- 588-606
- Producentens varenummer:
- IME2532SDBETG-6I
- Brand:
- Intelligent Memory
Indhold (1 enhed)*
Kr. 211,01
(ekskl. moms)
Kr. 263,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 211,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 588-606
- Producentens varenummer:
- IME2532SDBETG-6I
- Brand:
- Intelligent Memory
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Intelligent Memory | |
| Hukommelsesstørrelse | 256MB | |
| Produkttype | SDRAM | |
| Databusbredde | 16bit | |
| Klokfrekvens maks. | 166MHz | |
| Antal Bits per ord | 32 | |
| Random access-tid maks. | 6ns | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | FBGA | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Benantal | 90 | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Længde | 13mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Bredde | 8mm | |
| Serie | IME2532SDBE(T/B) | |
| Forsyningsstrøm | 9.6mA | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 Klasse 1 | |
| Forsyningsspænding min. | 3V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Intelligent Memory | ||
Hukommelsesstørrelse 256MB | ||
Produkttype SDRAM | ||
Databusbredde 16bit | ||
Klokfrekvens maks. 166MHz | ||
Antal Bits per ord 32 | ||
Random access-tid maks. 6ns | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype FBGA | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Benantal 90 | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Længde 13mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Bredde 8mm | ||
Serie IME2532SDBE(T/B) | ||
Forsyningsstrøm 9.6mA | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 Klasse 1 | ||
Forsyningsspænding min. 3V | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Intelligent Memory Four bank synkron DRAM er organiseret som 4 banker x 2 Mbit x 32. Den opnår højhastigheds dataoverførselshastigheder på op til 166 MHz ved at anvende en chiparkitektur, der forudindsamler flere bits og synkroniserer udgangsdataene til systemur, hvilket sikrer effektiv og pålidelig ydeevne.
Slukningstilstand
Automatisk opdatering og selvopdatering
Automatisk og kontrolleret forladningskommando