Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 128 MB, Overflade 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- RS-varenummer:
- 588-653
- Producentens varenummer:
- IM1216SDBABG-6I
- Brand:
- Intelligent Memory
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 49,74
(ekskl. moms)
Kr. 62,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 24,87 | Kr. 49,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 588-653
- Producentens varenummer:
- IM1216SDBABG-6I
- Brand:
- Intelligent Memory
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Intelligent Memory | |
| Hukommelsesstørrelse | 128MB | |
| Produkttype | SDRAM | |
| Organisation | 8M x 16 | |
| Databusbredde | 16bit | |
| Antal Bits per ord | 16 | |
| Klokfrekvens maks. | 200MHz | |
| Random access-tid maks. | 5ns | |
| Antal ord | 8K | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | FBGA | |
| Benantal | 54 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q100, RoHS | |
| Bredde | 8 mm | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Forsyningsspænding min. | 3V | |
| Forsyningsstrøm | 65mA | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Intelligent Memory | ||
Hukommelsesstørrelse 128MB | ||
Produkttype SDRAM | ||
Organisation 8M x 16 | ||
Databusbredde 16bit | ||
Antal Bits per ord 16 | ||
Klokfrekvens maks. 200MHz | ||
Random access-tid maks. 5ns | ||
Antal ord 8K | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype FBGA | ||
Benantal 54 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q100, RoHS | ||
Bredde 8 mm | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
Forsyningsspænding min. 3V | ||
Forsyningsstrøm 65mA | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Intelligent hukommelse fire bank synkron DRAM organiseret som 4 banker x 2 Mbit x 16. it opnår højhastigheds dataoverførselshastigheder på op til 200 MHz ved at anvende en chiparkitektur, der forudindsamler flere bits og derefter synkroniserer udgangsdataene til et systemur.
Flere udløsningsaflæsninger med enkelt skrivning
Automatisk og kontrolleret forladningskommando
Slukningstilstand
Automatisk opdatering og selvopdatering
Relaterede links
- Intelligent Memory AEC-Q100 128 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory 64 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 512 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 64 MB 85 °C 90 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 256 MB 85 °C 90 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 Klasse 1 256 MB 85 °C 90 Ben, FBGA