Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 512 MB, Overflade 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- RS-varenummer:
- 588-656
- Producentens varenummer:
- IM5116SDBBBG-6I
- Brand:
- Intelligent Memory
Indhold (1 enhed)*
Kr. 77,12
(ekskl. moms)
Kr. 96,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 77,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 588-656
- Producentens varenummer:
- IM5116SDBBBG-6I
- Brand:
- Intelligent Memory
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Intelligent Memory | |
| Produkttype | SDRAM | |
| Hukommelsesstørrelse | 512MB | |
| Databusbredde | 16bit | |
| Adressebusbredde | 13bit | |
| Klokfrekvens maks. | 166MHz | |
| Antal Bits per ord | 16 | |
| Random access-tid maks. | 6ns | |
| Antal ord | 33554432 Words | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | FBGA | |
| Benantal | 54 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | IM5116SDBB | |
| Højde | 1.2mm | |
| Længde | 8mm | |
| Forsyningsstrøm | 140mA | |
| Forsyningsspænding min. | 3V | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Intelligent Memory | ||
Produkttype SDRAM | ||
Hukommelsesstørrelse 512MB | ||
Databusbredde 16bit | ||
Adressebusbredde 13bit | ||
Klokfrekvens maks. 166MHz | ||
Antal Bits per ord 16 | ||
Random access-tid maks. 6ns | ||
Antal ord 33554432 Words | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype FBGA | ||
Benantal 54 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie IM5116SDBB | ||
Højde 1.2mm | ||
Længde 8mm | ||
Forsyningsstrøm 140mA | ||
Forsyningsspænding min. 3V | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
Intelligent Memory Four bank synkron DRAM er organiseret som 4 banker x 8 Mbit x 16. Den opnår højhastigheds dataoverførselshastigheder på op til 166 MHz ved at anvende en chiparkitektur, der forudindsamler flere bits og synkroniserer udgangsdataene til systemur. Alle styre-, adresse-, dataindgangs- og udgangskredsløb er synkroniseret med den positive kant af et eksternt leveret ur for at sikre præcis timing og pålidelig ydeevne.
Slukningstilstand
Automatisk opdatering og selvopdatering
Automatisk og kontrolleret forladningskommando