Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 256 MB, Overflade 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- RS-varenummer:
- 588-659
- Producentens varenummer:
- IM2508SDBBTG-6
- Brand:
- Intelligent Memory
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 37,85
(ekskl. moms)
Kr. 47,312
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 18,925 | Kr. 37,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 588-659
- Producentens varenummer:
- IM2508SDBBTG-6
- Brand:
- Intelligent Memory
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Intelligent Memory | |
| Hukommelsesstørrelse | 256MB | |
| Produkttype | SDRAM | |
| Databusbredde | 16bit | |
| Adressebusbredde | 13bit | |
| Klokfrekvens maks. | 166MHz | |
| Antal Bits per ord | 8 | |
| Random access-tid maks. | 5ns | |
| Antal ord | 33554432 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | FBGA | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Benantal | 54 | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Serie | IM2508SDBBT | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Forsyningsspænding min. | 3V | |
| Forsyningsstrøm | 110mA | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Intelligent Memory | ||
Hukommelsesstørrelse 256MB | ||
Produkttype SDRAM | ||
Databusbredde 16bit | ||
Adressebusbredde 13bit | ||
Klokfrekvens maks. 166MHz | ||
Antal Bits per ord 8 | ||
Random access-tid maks. 5ns | ||
Antal ord 33554432 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype FBGA | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Benantal 54 | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Serie IM2508SDBBT | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Forsyningsspænding min. 3V | ||
Forsyningsstrøm 110mA | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Intelligent Memory Four bank synkron DRAM er organiseret som 4 banker x 8 Mbit x 8. Den opnår højhastigheds dataoverførselshastigheder på op til 166 MHz ved at anvende en chiparkitektur, der forudindsamler flere bits og synkroniserer udgangsdataene til systemur, hvilket sikrer effektiv og pålidelig ydeevne.
Slukningstilstand
Automatisk opdatering og selvopdatering
Automatisk og kontrolleret forladningskommando