Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 256 MB, Overflade 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- RS-varenummer:
- 588-659
- Producentens varenummer:
- IM2508SDBBTG-6
- Brand:
- Intelligent Memory
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 37,85
(ekskl. moms)
Kr. 47,312
(inkl. moms)
Tilføj 28 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 20 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 18,925 | Kr. 37,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 588-659
- Producentens varenummer:
- IM2508SDBBTG-6
- Brand:
- Intelligent Memory
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Intelligent Memory | |
| Hukommelsesstørrelse | 256MB | |
| Produkttype | SDRAM | |
| Organisation | 32M x 8 | |
| Databusbredde | 16bit | |
| Adressebusbredde | 13bit | |
| Antal Bits per ord | 8 | |
| Klokfrekvens maks. | 166MHz | |
| Random access-tid maks. | 5ns | |
| Antal ord | 33554432 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | FBGA | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Benantal | 54 | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | IM2508SDBBT | |
| Forsyningsstrøm | 110mA | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Forsyningsspænding min. | 3V | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Intelligent Memory | ||
Hukommelsesstørrelse 256MB | ||
Produkttype SDRAM | ||
Organisation 32M x 8 | ||
Databusbredde 16bit | ||
Adressebusbredde 13bit | ||
Antal Bits per ord 8 | ||
Klokfrekvens maks. 166MHz | ||
Random access-tid maks. 5ns | ||
Antal ord 33554432 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype FBGA | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Benantal 54 | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie IM2508SDBBT | ||
Forsyningsstrøm 110mA | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
Forsyningsspænding min. 3V | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Intelligent Memory Four bank synkron DRAM er organiseret som 4 banker x 8 Mbit x 8. Den opnår højhastigheds dataoverførselshastigheder på op til 166 MHz ved at anvende en chiparkitektur, der forudindsamler flere bits og synkroniserer udgangsdataene til systemur, hvilket sikrer effektiv og pålidelig ydeevne.
Slukningstilstand
Automatisk opdatering og selvopdatering
Automatisk og kontrolleret forladningskommando
Relaterede links
- Intelligent Memory 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 256 MB 85 °C 90 Ben, FBGA
- Intelligent Memory 64 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 Klasse 1 256 MB 85 °C 90 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 512 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 128 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 64 MB 85 °C 90 Ben, FBGA