Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 512 MB, Overflade 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- RS-varenummer:
- 588-663
- Producentens varenummer:
- IME5108SDBETG-75I
- Brand:
- Intelligent Memory
Indhold (1 enhed)*
Kr. 308,20
(ekskl. moms)
Kr. 385,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 9 enhed(er) afsendes fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 308,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 588-663
- Producentens varenummer:
- IME5108SDBETG-75I
- Brand:
- Intelligent Memory
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Intelligent Memory | |
| Hukommelsesstørrelse | 512MB | |
| Produkttype | SDRAM | |
| Databusbredde | 16bit | |
| Klokfrekvens maks. | 166MHz | |
| Antal Bits per ord | 64 | |
| Random access-tid maks. | 6ns | |
| Antal ord | 16777216 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | FBGA | |
| Benantal | 54 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Serie | IME51 | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Forsyningsspænding min. | 3V | |
| Forsyningsstrøm | 170mA | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Intelligent Memory | ||
Hukommelsesstørrelse 512MB | ||
Produkttype SDRAM | ||
Databusbredde 16bit | ||
Klokfrekvens maks. 166MHz | ||
Antal Bits per ord 64 | ||
Random access-tid maks. 6ns | ||
Antal ord 16777216 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype FBGA | ||
Benantal 54 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Serie IME51 | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Forsyningsspænding min. 3V | ||
Forsyningsstrøm 170mA | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Intelligent Memory Four bank synkron DRAM er organiseret som 4 banker x 16 Mbit x 8 (5108) eller 4 banker x 8 Mbit x 16 (5116). Den opnår højhastigheds dataoverførselshastigheder på op til 166 MHz ved hjælp af en chiparkitektur, der forudindsamler flere bits og synkroniserer udgangsdataene til systemur, hvilket sikrer hurtig og pålidelig drift.
Slukningstilstand
Automatisk opdatering og selvopdatering
Automatisk og kontrolleret forladningskommando