ISSI, SDRAM, 128 MB, Overflademontering 32 bit, 85 °C, -40 °C, 90 Ben, BGA

ISSI 128 Mb SDRAM er en højhastigheds CMOS, dynamisk hukommelse med tilfældig adgang, der er designet til at fungere i 3,3 V VDD- og 3,3 V VDDQ-hukommelsessystemer, der indeholder 134. 217. 728 bit. Intern konfiguration som en quad-bank DRAM med et synkront interface. Hver 33. 554. 432-bit bank er organiseret som 4. 096 rækker med 256 kolonner med 32 bit. Alle signaler registreres på den positive kant af ursignalet, CLK. Alle indgange og udgange er LVTTL-kompatible. 128 Mb SDRAM har evnen til synkront burst data ved en høj datahastighed med automatisk kolonne-adressegenerering, evnen til at interleave mellem interne banker for at skjule genopladningstiden og evnen til at ændre kolonneadresser tilfældigt på hver urcyklus under burst-adgang.

Automatisk opdatering (CBR)