W94AD6KBHX5I/TRAY, DDR SDRAM-chip, 1Gbit, Overflademontering, DDR, 60 ben, VFBGA DDR

Dette er et 1 Gb laveffekts DDR SDRAM organiseret som 16 M ord x 4 grupper x 16 bits

Strømforsyning VDD = 1,7 V∼1,95 V, VDDQ = 1,7 V∼1,95 V
Databredde: x16
Burst-type: Sekventiel eller Interleave, clock-hastighed: 166 MHz, 200 MHz
Standard selvopdateringsfunktion
PASR, ATCSR, nedlukningsfunktion, DPD
Programmerbar udgangsbufferdriverstyrke
Fire interne grupper til samtidig drift
CAS-reaktionstid: 2 og 3
Burstlængde: 2, 4, 8 og 16
Driftstemperaturområde: Udvidet (-25 °C ∼ 85 °C), industri (-40 °C ∼ 85 °C)
2-vejs, data-blink (DQS) sendes eller modtages med data, skal bruges i hentning af data på modtageren