Infineon SRAM -hukommelseschip, 4Mbit

CY7C1049GN er en højtydende CMOS hurtig statisk RAM-enhed, der er organiseret som 512K ord med 8 bit. Dataskrivning udføres ved at gøre input for Chip Enable (CE) og Write Enable (WE) LAVE, mens data på i/O0 til i/O7 og adresse på A0 til A18-ben gives. Dataaflæsninger udføres ved at angive input for Chip Enable (CE) og Output Enable (OE) LAVT og angive den ønskede adresse på adresselinjerne. Der er adgang til læste data på i/O-linjerne (i/O0 til i/O7). Alle i/Os (i/O0 til i/O7) er placeret i en tilstand med høj impedans under følgende hændelser: Enheden er fravalgt (CE HØJ) Kontrolsignalet OE deaktiveres.

Høj hastighed
TAA = 10 ns
Lav aktiv- og standbystrøm
Aktiv strøm: ICC = 38 mA typisk
Standbystrøm: ISB2 = 6 mA typisk
Driftsspændingsområde: 1,65 V til 2,2 V, 2,2 V til 3,6 V og
4,5 V til 5,5 V.
1,0 V Data-opbevaring
TTL-kompatible indgange og udgange
Blyfri 36-benede SOJ og 44-benede TSOP II huse