Infineon SRAM, 4 MB, SOJ 36 Ben

Indhold (1 rør af 19 enheder)*

Kr. 513,342

(ekskl. moms)

Kr. 641,668

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
19 +Kr. 27,018Kr. 513,34

*Vejledende pris

RS-varenummer:
182-3295
Producentens varenummer:
CY7C1049GN-10VXI
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Hukommelsesstørrelse

4MB

Produkttype

SRAM

Organisation

512k x 16 Bit

Antal ord

512K

Antal Bits per ord

8

Random access-tid maks.

10ns

Timing-type

Asynkron

Monteringstype

Overflade

Emballagetype

SOJ

Benantal

36

Bredde

0.4 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

0.12mm

Længde

0.93mm

COO (Country of Origin):
US
CY7C1049GN er en højtydende CMOS hurtig statisk RAM-enhed, der er organiseret som 512.000 ord pr. 8-bit. Data skrives ved at angive Chip Enable (CE) og Write Enable (WE) indgange LOW, samtidig med at data leveres på I/O0 via I/O7 og adresse på A0 via A18 ben. Dataaflæsninger udføres ved at angive Chip Enable (CE) og Output Enable (OE) indgange LOW og give den nødvendige adresse på adresselinjerne. Aflæsningsdata er tilgængelige på I/O-linjerne (I/O0 gennem I/O7). Alle I/O'er (I/O0 gennem I/O7) placeres i en tilstand med høj impedans under følgende hændelser: Enheden er fravalgt (CE HØJ) Styresignalet OE er fravalgt.

Høj hastighed

tAA = 10 ns

Lav aktiv og standby-strøm

Aktiv strøm: ICC = 38 mA typisk

Standbystrøm: ISB2 = 6 mA typisk

Driftsspændingsområde: 1,65 V til 2,2 V, 2,2 V til 3,6 V og

4,5 V til 5,5 V

1,0 V datalagring

TTL-kompatible indgange og udgange

Blyfri 36-benet SOJ og 44-benet TSOP II-hus

Relaterede links