Infineon SRAM -hukommelseschip, 4Mbit, SOIC 32
- RS-varenummer:
- 188-5324
- Producentens varenummer:
- CY62148ELL-55SXI
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 1.392,775
(ekskl. moms)
Kr. 1.740,975
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 125 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 55,711 | Kr. 1.392,78 |
| 50 - 75 | Kr. 54,206 | Kr. 1.355,15 |
| 100 - 225 | Kr. 52,758 | Kr. 1.318,95 |
| 250 - 475 | Kr. 51,42 | Kr. 1.285,50 |
| 500 + | Kr. 50,14 | Kr. 1.253,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5324
- Producentens varenummer:
- CY62148ELL-55SXI
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Memory-størrelse | 4Mbit | |
| Organisation | 512k x 8 bit | |
| Antal ord | 512k | |
| Antal Bits per ord | 8bit | |
| Random access-tid maks. | 55ns | |
| Adressebusbredde | 8bit | |
| Clock-frekvens | 1MHz | |
| Lav effekt | Ja | |
| Timing-type | Asynkron | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Kapslingstype | SOIC | |
| Benantal | 32 | |
| Dimensioner | 20.75 x 11.43 x 2.88mm | |
| Driftsforsyningsspænding maks. | 5,5 V | |
| Højde | 2.88mm | |
| Driftstemperatur maks. | +85 °C | |
| Længde | 20.75mm | |
| Driftstemperatur min. | -40 °C | |
| Bredde | 11.43mm | |
| Driftsforsyningsspænding min. | 4,5 V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Memory-størrelse 4Mbit | ||
Organisation 512k x 8 bit | ||
Antal ord 512k | ||
Antal Bits per ord 8bit | ||
Random access-tid maks. 55ns | ||
Adressebusbredde 8bit | ||
Clock-frekvens 1MHz | ||
Lav effekt Ja | ||
Timing-type Asynkron | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Kapslingstype SOIC | ||
Benantal 32 | ||
Dimensioner 20.75 x 11.43 x 2.88mm | ||
Driftsforsyningsspænding maks. 5,5 V | ||
Højde 2.88mm | ||
Driftstemperatur maks. +85 °C | ||
Længde 20.75mm | ||
Driftstemperatur min. -40 °C | ||
Bredde 11.43mm | ||
Driftsforsyningsspænding min. 4,5 V | ||
- COO (Country of Origin):
- US
Asynkron Micropower (MoBL) SRAM-hukommelse, Cypress Semiconductor
MoBL laveffekt SRAM-hukommelsesenheder har høj effektivitet og har brancheførende specifikationer for standby effekttab (maksimum).
Meget høj hastighed: 45 ns
Spændingsområde: 4,5 V til 5,5 V.
PIN-kode kompatibel med CY62148B
Ultralav standby-strøm
Typisk standbystrøm: 1 μA
Maks. standbystrøm: 7 μA (industriel)
Meget lav aktiv effekt
Typisk aktiv strøm: 2,0 mA ved f = 1 MHz
Nem hukommelsesudvidelse med CE- og OE-funktioner
Automatisk nedlukning ved fravalgt
Komplementær metaloxid-halvleder (CMOS) for optimal hastighed og effekt
Fås i pakker med 32-bens tynde, lille omrids (TSOP) II og 32-bens integrerede kredsløb med lille omrids (SOIC)[1]
Spændingsområde: 4,5 V til 5,5 V.
PIN-kode kompatibel med CY62148B
Ultralav standby-strøm
Typisk standbystrøm: 1 μA
Maks. standbystrøm: 7 μA (industriel)
Meget lav aktiv effekt
Typisk aktiv strøm: 2,0 mA ved f = 1 MHz
Nem hukommelsesudvidelse med CE- og OE-funktioner
Automatisk nedlukning ved fravalgt
Komplementær metaloxid-halvleder (CMOS) for optimal hastighed og effekt
Fås i pakker med 32-bens tynde, lille omrids (TSOP) II og 32-bens integrerede kredsløb med lille omrids (SOIC)[1]
SRAM (Static Random Access Memory)