Infineon SRAM -hukommelseschip, 1Mbit, SOJ 44

Denne enhed har en automatisk nedstrømningsfunktion, der reducerer strømforbruget betydeligt, når den fravælges. Skrivning til enheden sker ved at tage Chip Enable (CE) og Write Enable (WE) indgange LAV. Hvis BLE (Byte Low Enable) er LAV, skrives data fra i/O-ben (i/O0 til i/O7) på det sted, der er angivet på adressestifterne (A0 til A15). Hvis Byte High Enable (BHE) er LAV, skrives data fra i/O-ben (i/O8 til i/O15) på det sted, der er angivet på adressestifterne (A0 til A15). Aflæsning fra enheden udføres ved at tage Chip Enable (CE) og Output Enable (OE) LAV, mens Write Enable (WE) TVINGES HØJT. Hvis BLE (Byte Low Enable) er LAV, vises data fra den hukommelsesplads, der er angivet af adressestifterne, på i/O0 til i/O7. Hvis BHE (Byte High Enable) er LAV, vises data fra hukommelsen på i/O8 til i/O15. Se sandhedstabellen i slutningen af dette dataark for at få en komplet beskrivelse af læse- og skrivetilstandene.