onsemi, Omskifterdiode Enkelt, 23.4 A 650 V, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 202-7285
- Producentens varenummer:
- FFSD2065B
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 202-7285
- Producentens varenummer:
- FFSD2065B
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Omskifterdiode | |
| Diodemateriale | Enkelt | |
| Gennemgangsstrøm maks. If | 23.4A | |
| Undertype | Schottky-diode (SiC) i siliciumkarbid | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160mW | |
| Spænding i lederetning maks. Vf | 2.4V | |
| Periodisk spidsspænding i spærreretning maks. Vrrm | 650V | |
| Ikke-periodisk spids-gennemgangs-stødstrøm Ifsm | 763A | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 10.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Omskifterdiode | ||
Diodemateriale Enkelt | ||
Gennemgangsstrøm maks. If 23.4A | ||
Undertype Schottky-diode (SiC) i siliciumkarbid | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160mW | ||
Spænding i lederetning maks. Vf 2.4V | ||
Periodisk spidsspænding i spærreretning maks. Vrrm 650V | ||
Ikke-periodisk spids-gennemgangs-stødstrøm Ifsm 763A | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 10.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Siliciumkarbid (SiC) Schottky-diode – EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Siliciumkarbid (SiC) Schottky-diode – EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
ON Semiconductor siliciumcarbid (SIC) Schottky-dioder anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen skifteevne og højere pålidelighed sammenlignet med silicium. Ingen omvendt returstrøm, temperaturuafhængige omskifteregenskaber og fremragende termisk ydeevne betyder, at siliciumkarbid er næste generation af effekthalvledere.
Høj stødstrømskapacitet
Positiv temperaturkoefficient
Nem parallelopsætning