IDW80C65D1XKSA1, Diode, 80A 650V Silicon Junction, 3 ben, TO-247
- RS-varenummer:
- 218-4382
- Producentens varenummer:
- IDW80C65D1XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 140,07
(ekskl. moms)
Kr. 175,09
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 28,014 | Kr. 140,07 |
| 25 - 45 | Kr. 25,506 | Kr. 127,53 |
| 50 - 120 | Kr. 23,816 | Kr. 119,08 |
| 125 - 245 | Kr. 22,126 | Kr. 110,63 |
| 250 + | Kr. 20,45 | Kr. 102,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-4382
- Producentens varenummer:
- IDW80C65D1XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Diode-konfiguration | Enkelt | |
| Gennemgangsstrøm maks. | 80A | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Spænding i spærreretning maks. | 650V | |
| Kapslingstype | TO-247 | |
| Diode-teknologi | Silicon Junction | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Diode-konfiguration Enkelt | ||
Gennemgangsstrøm maks. 80A | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Spænding i spærreretning maks. 650V | ||
Kapslingstype TO-247 | ||
Diode-teknologi Silicon Junction | ||
Benantal 3 | ||
Infineon Rapid 1 seriens switching-emitter-kontroller strøm-silicium-diode i fælles katodekonfiguration og i et TO-247 hus, der muliggør designoptimering for mere kompakte dimensioner, lettere montering og dermed lavere omkostninger. Den anvendes til forskellige formål som telekommunikation, UPS, svejsning, adapter, husholdningsapparater og aircondition. Den har en fremadstrøm på 80 A.
1,35 V temperaturstabil gennemgangsspænding
Højeste blødhedsfaktor for ultimativ blødhed og lav EMI-filtrering
Lav returladning
Lav returstrøm ved bakkørsel
Til anvendelser, der skifter mellem 18 kHz og 40 kHz
Højeste blødhedsfaktor for ultimativ blødhed og lav EMI-filtrering
Lav returladning
Lav returstrøm ved bakkørsel
Til anvendelser, der skifter mellem 18 kHz og 40 kHz
Relaterede links
- IDW80C65D1XKSA1 80A 650V Silicon Junction TO-247
- IDW80C65D2XKSA1 80A 650V Silicon Junction TO-247
- IDW75D65D1XKSA1 75A 650V Silicon Junction TO-247
- IDW30C65D1XKSA1 30A 650V Silicon Junction TO-247
- IDW15E65D2FKSA1 15A 650V Silicon Junction TO-247
- IDW60C65D1XKSA1 60A 650V Silicon Junction TO-247
- IDFW40E65D1EXKSA1 40A 650V Silicon Junction TO-247
- onsemi RURG80100 Diode 200ns 2-Pin TO-247 1.9V
