RF501BGE2STL, Diode, 500mA 200V Silicon Junction, 3 ben, TO-252GE
- RS-varenummer:
- 223-6292
- Producentens varenummer:
- RF501BGE2STL
- Fabrikant:
- ROHM
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
- RS-varenummer:
- 223-6292
- Producentens varenummer:
- RF501BGE2STL
- Fabrikant:
- ROHM
Egenskaber
RS Components Datablade
Legislation and Compliance
Produktdetaljer
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Diode-konfiguration | Enkelt | |
| Gennemgangsstrøm maks. | 500mA | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Spænding i spærreretning maks. | 200V | |
| Kapslingstype | TO-252GE | |
| Diode-teknologi | Silicon Junction | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Diode-konfiguration Enkelt | ||
Gennemgangsstrøm maks. 500mA | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Spænding i spærreretning maks. 200V | ||
Kapslingstype TO-252GE | ||
Diode-teknologi Silicon Junction | ||
Benantal 3 | ||
ROHM superhurtig genindvindingsdiode anvendes primært til generel afhjælpning. Den har 200 V mærkespænding ved bakkørsel.
Tabsfattigt skift
Lav spænding i gennemgangsretning
Lav spænding i gennemgangsretning
Relaterede links
- RF501BGE2STL 500mA 200V Silicon Junction TO-252GE
- RFN5BGE2STL 500mA 200V Silicon Junction TO-252GE
- RFN5BGE6STL 500mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RF505BGE6STL 500mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RF601BGE2DTL 600mA 200V Silicon Junction TO-252GE
- RFN3BGE2STL 300mA 200V Silicon Junction TO-252GE
- RFN10BGE3STL 1A 350V Silicon Junction TO-252GE
- RFV8BGE6STL 800mA 600V Silicon Junction TO-252GE