RFN10BGE3STL, Diode, 1A 350V Silicon Junction, 3 ben, TO-252GE
- RS-varenummer:
- 223-6298
- Producentens varenummer:
- RFN10BGE3STL
- Fabrikant:
- ROHM
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
- RS-varenummer:
- 223-6298
- Producentens varenummer:
- RFN10BGE3STL
- Fabrikant:
- ROHM
Egenskaber
RS Components Datablade
Legislation and Compliance
Produktdetaljer
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Diode-konfiguration | 2 x fælles katodepar | |
| Gennemgangsstrøm maks. | 1A | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Spænding i spærreretning maks. | 350V | |
| Kapslingstype | TO-252GE | |
| Diode-teknologi | Silicon Junction | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Diode-konfiguration 2 x fælles katodepar | ||
Gennemgangsstrøm maks. 1A | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Spænding i spærreretning maks. 350V | ||
Kapslingstype TO-252GE | ||
Diode-teknologi Silicon Junction | ||
Benantal 3 | ||
ROHM superhurtig genindvindingsdiode anvendes primært til generel afhjælpning. Den har 350 V mærkespænding ved bakkørsel.
Tabsfattigt skift
Høj strømoverbelastningskapacitet
Høj strømoverbelastningskapacitet
Relaterede links
- RFN10BGE3STL 1A 350V Silicon Junction TO-252GE
- RFN10BGE6STL 1A 600V Silicon Junction TO-252GE
- RFN5BGE6STL 500mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RF601BGE2DTL 600mA 200V Silicon Junction TO-252GE
- RFV8BGE6STL 800mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RFN3BGE2STL 300mA 200V Silicon Junction TO-252GE
- RF305BGE6STL 300mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RF501BGE2STL 500mA 200V Silicon Junction TO-252GE
