RFN10BGE6STL, Diode, 1A 600V Silicon Junction, 3 ben, TO-252GE
- RS-varenummer:
- 223-6300
- Producentens varenummer:
- RFN10BGE6STL
- Fabrikant:
- ROHM
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 9.270,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.587,50
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 3,708 | Kr. 9.270,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 223-6300
- Producentens varenummer:
- RFN10BGE6STL
- Fabrikant:
- ROHM
Egenskaber
RS Components Datablade
Legislation and Compliance
Produktdetaljer
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Diode-konfiguration | 2 x fælles katodepar | |
| Gennemgangsstrøm maks. | 1A | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Spænding i spærreretning maks. | 600V | |
| Kapslingstype | TO-252GE | |
| Diode-teknologi | Silicon Junction | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Diode-konfiguration 2 x fælles katodepar | ||
Gennemgangsstrøm maks. 1A | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Spænding i spærreretning maks. 600V | ||
Kapslingstype TO-252GE | ||
Diode-teknologi Silicon Junction | ||
Benantal 3 | ||
ROHM superhurtig genindvindingsdiode anvendes primært til generel afhjælpning. Den har 600 V mærkespænding ved bakkørsel.
Tabsfattigt skift
Høj strømoverbelastningskapacitet
Høj strømoverbelastningskapacitet
Relaterede links
- RFN10BGE6STL 1A 600V Silicon Junction TO-252GE
- RFN5BGE6STL 500mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RFV8BGE6STL 800mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RF305BGE6STL 300mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RF505BGE6STL 500mA 600V Silicon Junction TO-252GE
- RFN10BGE3STL 1A 350V Silicon Junction TO-252GE
- RFV5BGE6STL 1A 600V Silicon Junction TO-252
- RFNL10BM6SFHTL 1A 600V Silicon Junction TO-252