STMicroelectronics, TVS-diode, 1100W, Envejs, 13.2V, 6.3V, 2 ben, QFN, ESDA8P80-1U1M
- RS-varenummer:
- 163-7317
- Producentens varenummer:
- ESDA8P80-1U1M
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 8000 enheder)*
Kr. 5.584,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.976,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 8000 + | Kr. 0,698 | Kr. 5.584,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 163-7317
- Producentens varenummer:
- ESDA8P80-1U1M
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Diode-konfiguration | Array | |
| Retningstype | Envejs | |
| Clamping spænding maks. | 13.2V | |
| Breakdown-spænding min. | 6.9V | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Kapslingstype | QFN | |
| Stand-off spænding i spærretilstand maks. | 6.3V | |
| Benantal | 2 | |
| Impulseffektafsættelse spidsværdi | 1100W | |
| Impulsstrøm spidsværdi maks. | 80A | |
| ESD beskyttelse | Ja | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Dimensioner | 1.7 x 1.1 x 0.55mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 1.7mm | |
| Lækstrøm i spærreretning maks. | 200nA | |
| Højde | 0.55mm | |
| Teststrøm | 1mA | |
| Bredde | 1.1mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Diode-konfiguration Array | ||
Retningstype Envejs | ||
Clamping spænding maks. 13.2V | ||
Breakdown-spænding min. 6.9V | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Kapslingstype QFN | ||
Stand-off spænding i spærretilstand maks. 6.3V | ||
Benantal 2 | ||
Impulseffektafsættelse spidsværdi 1100W | ||
Impulsstrøm spidsværdi maks. 80A | ||
ESD beskyttelse Ja | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Dimensioner 1.7 x 1.1 x 0.55mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 1.7mm | ||
Lækstrøm i spærreretning maks. 200nA | ||
Højde 0.55mm | ||
Teststrøm 1mA | ||
Bredde 1.1mm | ||
ST's enheder for beskyttelse mod ledningsoverspænding understøtter anvendelser som f.eks. satellitbokse (LNB), kraftige DC-DC-konvertere, og strømskinner til telekommunikation. ITA-serien er optimeret til industrielle anvendelser, SLVU og PEP01 til Ethernet eller PoE, STIEC45-serien er beregnet til DC-strømskinner
Håndterer stødstrøm op til 500 A
Mulighed for bredt hus, herunder kraftige huse med flere linjer
Enheder, der er optimeret til at understøtte specifikke anvendelser
ESDA8P80-1U1M er en 1-vejs enkeltlinje TVS-diode, der er designet til at beskytte ledningen mod EOS- og ESD-transienter. Enheden er velegnet til anvendelser, hvor kraftig TVS og pladsbesparelse er nødvendig
Lav klemmespænding
Typisk spidsimpulseffekt:
1100 W (8/20μs)
Afstandsspænding 6,3 V
1-vejs diode
Lille lækstrøm:
0,2 μA ved 25 °C
Relaterede links
- STMicroelectronics 1100W 13.2V 2 ben ESDA8P80-1U1M
- STMicroelectronics 1200W 22.7V 2 ben ESDA15P60-1U1M
- STMicroelectronics 1200W 26.5V 2 ben ESDA17P50-1U1M
- STMicroelectronics 1400W 41V 2 ben ESDA25P35-1U1M
- STMicroelectronics 700W 11.6V 2 ben ESDA7P60-1U1M
- STMicroelectronics Envejs QFN, TCPP01-M12
- STMicroelectronics 5.5V Zenerdiode Overflademontering, QFN
- ROHM Envejs PMDE, VS48VLNVWMTFTR
