STMicroelectronics, TVS-diode 1, 1.1 kW, Envejs, 6.3 V, 2 Ben, QFN
- RS-varenummer:
- 163-9781
- Producentens varenummer:
- ESDA8P80-1U1M
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 100,55
(ekskl. moms)
Kr. 125,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 02. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 2,011 | Kr. 100,55 |
| 100 - 450 | Kr. 1,013 | Kr. 50,65 |
| 500 - 950 | Kr. 0,887 | Kr. 44,35 |
| 1000 - 1950 | Kr. 0,757 | Kr. 37,85 |
| 2000 + | Kr. 0,727 | Kr. 36,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 163-9781
- Producentens varenummer:
- ESDA8P80-1U1M
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Diodemateriale | Array | |
| Produkttype | TVS-diode | |
| Retningstype | Envejs | |
| Breakdown-spænding min. Vbr | 6.9V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | QFN | |
| Stand-off spænding i spærretilstand maks. Vwm | 6.3V | |
| Benantal | 2 | |
| Impulseffektafsættelse spidsværdi Pppm | 1.1kW | |
| Klemmespænding VC | 13.2V | |
| Testfrekvenser It | 1mA | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| ESD-beskyttelse | Ja | |
| Impulsstrøm spidsværdi maks. Ippm | 80A | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Højde | 0.55mm | |
| Bredde | 1.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 1.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Lækstrøm i spærreretning maks. | 200nA | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Diodemateriale Array | ||
Produkttype TVS-diode | ||
Retningstype Envejs | ||
Breakdown-spænding min. Vbr 6.9V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype QFN | ||
Stand-off spænding i spærretilstand maks. Vwm 6.3V | ||
Benantal 2 | ||
Impulseffektafsættelse spidsværdi Pppm 1.1kW | ||
Klemmespænding VC 13.2V | ||
Testfrekvenser It 1mA | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
ESD-beskyttelse Ja | ||
Impulsstrøm spidsværdi maks. Ippm 80A | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Højde 0.55mm | ||
Bredde 1.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 1.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Lækstrøm i spærreretning maks. 200nA | ||
ST's enheder for beskyttelse mod ledningsoverspænding understøtter anvendelser som f.eks. satellitbokse (LNB), kraftige DC-DC-konvertere, og strømskinner til telekommunikation. ITA-serien er optimeret til industrielle anvendelser, SLVU og PEP01 til Ethernet eller PoE, STIEC45-serien er beregnet til DC-strømskinner
Håndterer stødstrøm op til 500 A
Mulighed for bredt hus, herunder kraftige huse med flere linjer
Enheder, der er optimeret til at understøtte specifikke anvendelser
ESDA8P80-1U1M er en 1-vejs enkeltlinje TVS-diode, der er designet til at beskytte ledningen mod EOS- og ESD-transienter. Enheden er velegnet til anvendelser, hvor kraftig TVS og pladsbesparelse er nødvendig
Lav klemmespænding
Typisk spidsimpulseffekt:
1100 W (8/20μs)
Afstandsspænding 6,3 V
1-vejs diode
Lille lækstrøm:
0,2 μA ved 25 °C
Relaterede links
- STMicroelectronics 1100W 13.2V 2 ben ESDA8P80-1U1M
- STMicroelectronics 1200W 22.7V 2 ben ESDA15P60-1U1M
- STMicroelectronics 1200W 26.5V 2 ben ESDA17P50-1U1M
- STMicroelectronics 1400W 41V 2 ben ESDA25P35-1U1M
- STMicroelectronics 700W 11.6V 2 ben ESDA7P60-1U1M
- STMicroelectronics Envejs QFN, TCPP01-M12
- STMicroelectronics 5.5V Zenerdiode Overflademontering, QFN
- ROHM Envejs PMDE, VS48VLNVWMTFTR
