Bourns, TVS-diode 1, Bi-direktionel, 1 Ben, DFN
- RS-varenummer:
- 209-8047
- Producentens varenummer:
- TBU-CA065-100-WH-Q
- Brand:
- Bourns
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 69,80
(ekskl. moms)
Kr. 87,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,96 | Kr. 69,80 |
| 50 - 95 | Kr. 11,264 | Kr. 56,32 |
| 100 - 245 | Kr. 8,976 | Kr. 44,88 |
| 250 - 995 | Kr. 8,796 | Kr. 43,98 |
| 1000 + | Kr. 8,242 | Kr. 41,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 209-8047
- Producentens varenummer:
- TBU-CA065-100-WH-Q
- Brand:
- Bourns
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Bourns | |
| Produkttype | TVS-diode | |
| Diodemateriale | Enkelt | |
| Retningstype | Bi-direktionel | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | DFN | |
| Benantal | 1 | |
| Klemmespænding VC | 400V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| ESD-beskyttelse | Ja | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Længde | 6.5mm | |
| Serie | TBU | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.05mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Bourns | ||
Produkttype TVS-diode | ||
Diodemateriale Enkelt | ||
Retningstype Bi-direktionel | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype DFN | ||
Benantal 1 | ||
Klemmespænding VC 400V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
ESD-beskyttelse Ja | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Længde 6.5mm | ||
Serie TBU | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.05mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Bourns TBU-CA065-100-WH-Q produktet er enkelt 2-vejs højhastigheds beskyttelseskomponenter med lav kapacitet, der er konstrueret ved hjælp af MOSFET halvlederteknologi og designet til at beskytte mod fejl forårsaget af kortslutning, AC-strømkryds, induktion og lynnedslag. Peak-impulsspænding, der kan modstå en varighed på mindre end 10 ms, er 650 v.
Fremragende kredsløbsbeskyttelse.
Beskyttelse mod overstrøm og overspænding.
Blokerer transienter op til nominelle grænser.
Høj ydeevne.
Lille SMD hus.