FDS8958A, Dual, Digital transistor, , 8 ben, SOIC

Disse dobbelte N- og P-kanal effekteffekteffekteffekteffekteffekteffekteffekttransistorer produceres ved hjælp af en Advanced PowerTrench-proces, der er specielt skræddersyet til at minimere modstand i tændt tilstand og alligevel opretholde en overlegen skifteevne. Disse enheder er velegnede til anvendelser med lav spænding og batteridrevet udstyr, hvor lavt in-line strømtab og hurtig omskiftning er påkrævet.

Q1: N-kanal
7,0 A, 30 V.
RDS(ON) = 28 MΩ VED VGS = 10 V.
RDS(ON) = 40 MΩ VED VGS = 4,5 V.
Q2: P-kanal
-5 A, -30 V.
RDS(ON) = 52 MΩ VED VGS = -10 V
RDS(ON) = 80 MΩ VED VGS = -4,5 V.
Hurtig koblingshastighed
Høj effekt og håndtering i et bredt anvendt overflademonteret hus
Anvendelsesområder
Dette produkt er til generel brug og velegnet til mange forskellige opgaver.