MJ11016G, Darlington transistor, NPN 30 A 120 V HFE:200, 3 ben, TO-204 Enkelt

Se alle Darlington transistorer
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 78,61

(ekskl. moms)

Kr. 98,262

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Pr stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 39,305Kr. 78,61
20 +Kr. 33,885Kr. 67,77

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
463-000
Producentens varenummer:
MJ11016G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Transistortype

NPN

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

30 A

Kollektor emitter spænding maks.

120 V

Emitter basis spænding maks.

5 V

Kapslingstype

TO-204

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Antal elementer per chip

1

DC strømforstærkning min.

200

Basis emitter mætningsspænding maks.

5 V

Kollektor basis spænding maks.

120 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks.

4 V

Driftstemperatur maks.

+200 °C

Dimensioner

39.37 x 26.67 x 8.51mm

Højde

8.51mm

Længde

39.37mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Bredde

26.67mm

NPN Darlington transistorer, ON Semiconductor


Standarder

Producentens varrnumre med præfikserne S eller NSV præfiks er godkendt til brug i biler jvf. AEC-Q101-standarden.
On Semiconductor MJ11016G er en 30A, 120V NPN Darlington bipolaer effekttransistor. Den er designet til brug som udgangsenhed til allround forstærkeranvendelser.
MJ11016G leveres i en Pb-fri TO-204AA (TO-3) gennem hulmontering.

• Høj DC strømforstærkning
• Monolithic Construction
• Indbygget stråtershuntmodstand i base
• Vejledningstemperatur: Til +200°C.
• NPN polaritet

Tilgængelige versioner:
463-000 - pakke med 2 stk.
100-7565 - bakke med 100

Relaterede links