MJ11016G, Darlington transistor, NPN 30 A 120 V HFE:200, 3 ben, TO-204 Enkelt

Se alle Darlington transistorer

Indhold (1 bakke af 100 enheder)*

Kr. 2.302,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.878,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Pr stk.
Pr bakke*
100 +Kr. 23,02Kr. 2.302,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
100-7565
Producentens varenummer:
MJ11016G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Transistortype

NPN

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

30 A

Kollektor emitter spænding maks.

120 V

Emitter basis spænding maks.

5 V

Kapslingstype

TO-204

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Antal elementer per chip

1

DC strømforstærkning min.

200

Basis emitter mætningsspænding maks.

5 V

Kollektor basis spænding maks.

120 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks.

4 V

Dimensioner

39.37 x 26.67 x 8.51mm

Længde

39.37mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

8.51mm

Bredde

26.67mm

Driftstemperatur maks.

+200 °C

COO (Country of Origin):
CZ

NPN Darlington transistorer, ON Semiconductor


Standarder

Producentens varrnumre med præfikserne S eller NSV præfiks er godkendt til brug i biler jvf. AEC-Q101-standarden.
On Semiconductor MJ11016G er en 30A, 120V NPN Darlington bipolaer effekttransistor. Den er designet til brug som udgangsenhed til allround forstærkeranvendelser.
MJ11016G leveres i en Pb-fri TO-204AA (TO-3) gennem hulmontering.

• Høj DC strømforstærkning
• Monolithic Construction
• Indbygget stråtershuntmodstand i base
• Vejledningstemperatur: Til +200°C.
• NPN polaritet

Tilgængelige versioner:
463-000 - pakke med 2 stk.
100-7565 - bakke med 100

Relaterede links