Winbond W29N04GVBIAF, Parallel SLC NAND 4Gbit Flash Memory, 25μs, 2,7 V til 3,6 V, 63 ben, VFBGA
- RS-varenummer:
- 188-2878
- Producentens varenummer:
- W29N04GVBIAF
- Brand:
- Winbond
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 84,60
(ekskl. moms)
Kr. 105,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 6 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 84,60 |
| 10 - 24 | Kr. 82,43 |
| 25 - 49 | Kr. 80,19 |
| 50 - 99 | Kr. 78,17 |
| 100 + | Kr. 76,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-2878
- Producentens varenummer:
- W29N04GVBIAF
- Brand:
- Winbond
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Winbond | |
| Memory-størrelse | 4Gbit | |
| Interface-type | Parallel | |
| Kapslingstype | VFBGA | |
| Benantal | 63 | |
| Organisation | 512 M x 8 bit | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Celletype | SLC NAND | |
| Driftsforsyningsspænding min. | 2,7 V | |
| Driftsforsyningsspænding maks. | 3,6 V | |
| Længde | 11.1mm | |
| Højde | 0.6mm | |
| Bredde | 9.1mm | |
| Dimensioner | 11.1 x 9.1 x 0.6mm | |
| Serie | W29N | |
| Antal ord | 512M | |
| Antal Bits per ord | 8bit | |
| Random access-tid maks. | 25µs | |
| Driftstemperatur maks. | +85 °C | |
| Driftstemperatur min. | -40 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Winbond | ||
Memory-størrelse 4Gbit | ||
Interface-type Parallel | ||
Kapslingstype VFBGA | ||
Benantal 63 | ||
Organisation 512 M x 8 bit | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Celletype SLC NAND | ||
Driftsforsyningsspænding min. 2,7 V | ||
Driftsforsyningsspænding maks. 3,6 V | ||
Længde 11.1mm | ||
Højde 0.6mm | ||
Bredde 9.1mm | ||
Dimensioner 11.1 x 9.1 x 0.6mm | ||
Serie W29N | ||
Antal ord 512M | ||
Antal Bits per ord 8bit | ||
Random access-tid maks. 25µs | ||
Driftstemperatur maks. +85 °C | ||
Driftstemperatur min. -40 °C | ||
Tæthed: 4 Gbit (løsning med en enkelt chip)
VCC: 2,7 V til 3,6 V.
Busbredde: X8
Driftstemperatur
Industriel: -40 °C til 85 °C
SLC-teknologi (Single Level Cell).
Organisation
Densitet: 4G-bit/512M-byte
Sidestørrelse
2.112 byte (2048 + 64 byte)
Blokstørrelse
64 sider (128.000 + 4K byte)
Højeste Ydeevne
Læseydeevne (maks.)
Tilfældig læsning: 25us
Sekventiel aflæsningscyklus: 25 ns
Skrivesletning
Sideprogramtid: 250 us (typ.)
Bloksletningstid: 2 ms (typ.)
Holdbarhed 100.000 Slette/Programcyklusser (1)
10 års dataopbevaring
Kommandosæt
Standard NAND kommandosæt
Yderligere understøttelse af kommandoer
Sekventiel Cache-Læsning
Tilfældig Cache-Læsning
Cache-Program
Kopier Tilbage
Todelt drift
Kontakt Winbond for OTP-funktion
Kontakt Winbond for at få blokeringsfunktionen
Laveste strømforbrug
Udlæsning: 25 mA (typ.)
Program/Slet: 25 mA (typ.)
CMOS standby: 10 uA (typ.)
Pladsbesparende Emballage
48-benet standard TSOP1
63-kuglers VFBGA
VCC: 2,7 V til 3,6 V.
Busbredde: X8
Driftstemperatur
Industriel: -40 °C til 85 °C
SLC-teknologi (Single Level Cell).
Organisation
Densitet: 4G-bit/512M-byte
Sidestørrelse
2.112 byte (2048 + 64 byte)
Blokstørrelse
64 sider (128.000 + 4K byte)
Højeste Ydeevne
Læseydeevne (maks.)
Tilfældig læsning: 25us
Sekventiel aflæsningscyklus: 25 ns
Skrivesletning
Sideprogramtid: 250 us (typ.)
Bloksletningstid: 2 ms (typ.)
Holdbarhed 100.000 Slette/Programcyklusser (1)
10 års dataopbevaring
Kommandosæt
Standard NAND kommandosæt
Yderligere understøttelse af kommandoer
Sekventiel Cache-Læsning
Tilfældig Cache-Læsning
Cache-Program
Kopier Tilbage
Todelt drift
Kontakt Winbond for OTP-funktion
Kontakt Winbond for at få blokeringsfunktionen
Laveste strømforbrug
Udlæsning: 25 mA (typ.)
Program/Slet: 25 mA (typ.)
CMOS standby: 10 uA (typ.)
Pladsbesparende Emballage
48-benet standard TSOP1
63-kuglers VFBGA
4 GB SLC NAND flash-hukommelse med ensartet sidestørrelse på 2 KB + 64 B.
Busbredde: X8
Tilfældig læsning: 25us
Sideprogramtid: 250 us (typ.)
Bloksletningstid: 2 ms (typ.)
Understøtter Otp-Hukommelsesområde
Tilfældig læsning: 25us
Sideprogramtid: 250 us (typ.)
Bloksletningstid: 2 ms (typ.)
Understøtter Otp-Hukommelsesområde
Relaterede links
- Winbond W29N04GVBIAF 25μs7 V til 3 63 ben, VFBGA
- Winbond W29N04GVSIAA 25μs7 V til 3 48 ben, TSOP
- Winbond W29N01HVBINF 25μs7 V til 3 63 ben, VFBGA
- Winbond W29N01HVBINA 25μs7 V til 3 63 ben, VFBGA
- Winbond W29N02GVBIAA 25μs7 V til 3 63 ben, VFBGA
- Winbond W29N02GVBIAF 25μs7 V til 3 63 ben, VFBGA
- Winbond W29N08GZBIBA 25μs7 V til 1 63 ben, VFBGA
- Winbond W29N01HZBINA 25μs7 V til 1 63 ben, VFBGA
