Winbond W29N04GVBIAF, Parallel SLC NAND 4Gbit Flash Memory, 25μs, 2,7 V til 3,6 V, 63 ben, VFBGA

Tæthed: 4 Gbit (løsning med en enkelt chip)
VCC: 2,7 V til 3,6 V.
Busbredde: X8
Driftstemperatur
Industriel: -40 °C til 85 °C
SLC-teknologi (Single Level Cell).
Organisation
Densitet: 4G-bit/512M-byte
Sidestørrelse
2.112 byte (2048 + 64 byte)
Blokstørrelse
64 sider (128.000 + 4K byte)
Højeste Ydeevne
Læseydeevne (maks.)
Tilfældig læsning: 25us
Sekventiel aflæsningscyklus: 25 ns
Skrivesletning
Sideprogramtid: 250 us (typ.)
Bloksletningstid: 2 ms (typ.)
Holdbarhed 100.000 Slette/Programcyklusser (1)
10 års dataopbevaring
Kommandosæt
Standard NAND kommandosæt
Yderligere understøttelse af kommandoer
Sekventiel Cache-Læsning
Tilfældig Cache-Læsning
Cache-Program
Kopier Tilbage
Todelt drift
Kontakt Winbond for OTP-funktion
Kontakt Winbond for at få blokeringsfunktionen
Laveste strømforbrug
Udlæsning: 25 mA (typ.)
Program/Slet: 25 mA (typ.)
CMOS standby: 10 uA (typ.)
Pladsbesparende Emballage
48-benet standard TSOP1
63-kuglers VFBGA

4 GB SLC NAND flash-hukommelse med ensartet sidestørrelse på 2 KB + 64 B.

Busbredde: X8
Tilfældig læsning: 25us
Sideprogramtid: 250 us (typ.)
Bloksletningstid: 2 ms (typ.)
Understøtter Otp-Hukommelsesområde