Infineon AEC-Q100 FRAM 512 kB, 64k x 8 Bit, 450 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 124-2984
- Producentens varenummer:
- FM24V05-G
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 99,46
(ekskl. moms)
Kr. 124,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 412 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 99,46 |
| 10 - 24 | Kr. 80,86 |
| 25 - 99 | Kr. 79,06 |
| 100 - 499 | Kr. 76,82 |
| 500 + | Kr. 75,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-2984
- Producentens varenummer:
- FM24V05-G
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Hukommelsesstørrelse | 512kB | |
| Produkttype | FRAM | |
| Databusbredde | 8bit | |
| Random access-tid maks. | 450ns | |
| Klokfrekvens maks. | 3.4MHz | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Benantal | 8 | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 4.97mm | |
| Højde | 1.38mm | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Antal ord | 64K | |
| Antal Bits per ord | 8 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Forsyningsspænding min. | 2V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Hukommelsesstørrelse 512kB | ||
Produkttype FRAM | ||
Databusbredde 8bit | ||
Random access-tid maks. 450ns | ||
Klokfrekvens maks. 3.4MHz | ||
Monteringstype Overflade | ||
Emballagetype SOIC | ||
Benantal 8 | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 4.97mm | ||
Højde 1.38mm | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Antal ord 64K | ||
Antal Bits per ord 8 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
Forsyningsspænding min. 2V | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.
Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
FRAM (Ferroelectric RAM)
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.