Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Hukommelsesstørrelse 4kB
	Produkttype FRAM
	Databusbredde 8bit
	Random access-tid maks. 550ns
	Klokfrekvens maks. 1MHz
	Monteringstype Overflade
	Emballagetype SOIC
	Benantal 8
	Højde 1.38mm
	Længde 4.97mm
	Standarder/godkendelser No
	Driftstemperatur maks. 85°C
	Antal ord 512M
	Bilindustristandarder AEC-Q100
	Min. driftstemperatur -40°C
	Forsyningsspænding min. 2.7V
	Forsyningsspænding maks. 3.65V
	Antal Bits per ord 8

4-Kbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 512 x 8

Høj holdbarhed 100 billioner (1014) læse/skrive

151 års dataopbevaring

NoDelay™ skriver

Advanced ferroelektrisk proces med høj pålidelighed

Hurtigt 2-leder serielt interface (I2C)

Op til 1 MHz frekvens

Direkte erstatning for hardware til seriel (I2C) EEPROM

Understøtter ældre tidsindstillinger for 100 kHz og 400 kHz

Lavt effektforbrug

100, 46 A aktiv strøm ved 100 kHz

3 t (typ.) standbystrøm

Spændingsdrift: VDD = 2,7 V til 3,65 V.

Industriel temperatur: -40 grader C til +85 grader C

8-benet SOIC-hus (Small Outline Integrated Circuit)

Infineon AEC-Q100 FRAM 4 kB, 512M x 8 Bit, 550 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC

Relaterede links