AEC-Q100 FM18W08-SG, Parallel FRAM-hukommelse 256kbit, 32 K x 8 bit, 70ns, 2,7 V til 5,5 V, -40 °C til +85 °C, 28 ben,

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.

Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug

256-Kbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 32 K x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Kompatibel med SRAM og EEPROM
Industristandard 32 K x 8 SRAM og EEPROM-udgang
70-ns adgangstid, 130-ns cyklustid
Fremragende til SRAM-moduler med batteribackup
Ingen batteriproblemer
Monolitisk pålidelighed
Ægte overflademonteringsløsning, ingen ændringsarbejde
Uovertruffen til fugt, stød og vibrationer
Resistent over for underskud med negativ spænding
Lavt effektforbrug
Aktiv strøm 12 mA (maks.)
Standbystrøm 20 μA (typisk)
Drift med bred spænding: VDD = 2,7 V til 5,5 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
28-polet hus med lille kontur, integreret kredsløb (SOIC)

FRAM (Ferroelectric RAM)

F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.