Infineon AEC-Q100, Parallel FRAM 256 kB, 32K x 8 Bit, 70 ns, 85 °C, -40 °C, 28 Ben, SOIC

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 27 enheder)*

Kr. 2.013,93

(ekskl. moms)

Kr. 2.517,48

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 108 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
27 - 27Kr. 74,59Kr. 2.013,93
54 - 81Kr. 73,62Kr. 1.987,74
108 - 243Kr. 67,88Kr. 1.832,76
270 - 486Kr. 66,14Kr. 1.785,78
513 +Kr. 64,489Kr. 1.741,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-5394
Producentens varenummer:
FM18W08-SG
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Hukommelsesstørrelse

256kB

Produkttype

FRAM

Organisation

32K x 8 Bit

Interfacetype

Parallel

Databusbredde

8bit

Random access-tid maks.

70ns

Klokfrekvens maks.

1MHz

Monteringstype

Overflade

Emballagetype

SOIC

Benantal

28

Højde

2.37mm

Bredde

7.62 mm

Længde

18.11mm

Standarder/godkendelser

No

Driftstemperatur maks.

85°C

Antal ord

32k

Bilindustristandarder

AEC-Q100

Forsyningsspænding maks.

5.5V

Min. driftstemperatur

-40°C

Forsyningsspænding min.

2.7V

Antal Bits per ord

8

COO (Country of Origin):
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.

Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse

Hurtig skrivehastighed

Høj varighed

Lavt effektforbrug

FRAM (Ferroelectric RAM)


F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.

Relaterede links