Infineon AEC-Q100, Parallel FRAM 256 kB, 32 K x 8 bit, 70 ns, 85 °C, -40 °C, 28 Ben, SOIC

Få rabat ved storkøb

Tilføj 54 flere for at gemme Kr. 78,68

Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 27 enheder)*

Kr. 3.029,86

(ekskl. moms)

Kr. 3.787,32

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 486 enhed(er) afsendes fra 17. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
Besparelse
27 - 27Kr. 112,217Kr. 3.029,86-
54 - 81Kr. 110,76Kr. 2.990,52Kr. 78,68
108 +Kr. 98,753Kr. 2.666,33Kr. 1.454,11

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-5394
Producentens varenummer:
FM18W08-SG
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Hukommelsesstørrelse

256kB

Produkttype

FRAM

Organisation

32 K x 8 bit

Interfacetype

Parallel

Databusbredde

8bit

Random access-tid maks.

70ns

Monteringstype

Overflade

Klokfrekvens maks.

1MHz

Emballagetype

SOIC

Benantal

28

Højde

2.37mm

Bredde

7.62mm

Længde

18.11mm

Standarder/godkendelser

No

Driftstemperatur maks.

85°C

Antal Bits per ord

8

Bilindustristandarder

AEC-Q100

Forsyningsspænding min.

2.7V

Min. driftstemperatur

-40°C

Forsyningsspænding maks.

5.5V

Antal ord

32k

COO (Country of Origin):
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.

Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse

Hurtig skrivehastighed

Høj varighed

Lavt effektforbrug

FRAM (Ferroelectric RAM)


F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.