Infineon AEC-Q100 FRAM 256 kB, 32K x 8 Bit, 450 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 188-5403
- Producentens varenummer:
- FM24V02A-G
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 97 enheder)*
Kr. 4.019,68
(ekskl. moms)
Kr. 5.024,60
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | Kr. 41,44 | Kr. 4.019,68 |
| 194 - 194 | Kr. 40,32 | Kr. 3.911,04 |
| 291 - 485 | Kr. 39,258 | Kr. 3.808,03 |
| 582 - 970 | Kr. 38,252 | Kr. 3.710,44 |
| 1067 + | Kr. 37,296 | Kr. 3.617,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5403
- Producentens varenummer:
- FM24V02A-G
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | FRAM | |
| Hukommelsesstørrelse | 256kB | |
| Organisation | 32K x 8 Bit | |
| Databusbredde | 8bit | |
| Random access-tid maks. | 450ns | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Klokfrekvens maks. | 3.4MHz | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Benantal | 8 | |
| Bredde | 3.98 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 4.97mm | |
| Højde | 1.38mm | |
| Driftstemperatur maks. | 85°C | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Antal Bits per ord | 8 | |
| Antal ord | 32k | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Forsyningsspænding min. | 2V | |
| Forsyningsspænding maks. | 3.6V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype FRAM | ||
Hukommelsesstørrelse 256kB | ||
Organisation 32K x 8 Bit | ||
Databusbredde 8bit | ||
Random access-tid maks. 450ns | ||
Monteringstype Overflade | ||
Klokfrekvens maks. 3.4MHz | ||
Emballagetype SOIC | ||
Benantal 8 | ||
Bredde 3.98 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 4.97mm | ||
Højde 1.38mm | ||
Driftstemperatur maks. 85°C | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
Antal Bits per ord 8 | ||
Antal ord 32k | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Forsyningsspænding min. 2V | ||
Forsyningsspænding maks. 3.6V | ||
- COO (Country of Origin):
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.
Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
FRAM (Ferroelectric RAM)
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.
Relaterede links
- Infineon AEC-Q100 FRAM 256 kB 450 ns -40 °C SOIC
- Infineon FRAM 256 kB 70 ns -40 °C SOIC-28
- Infineon AEC-Q100 32K x 8 Bit 85 °C 8 Ben, DFN
- Infineon AEC-Q100 32K x 8 Bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 32K x 8 Bit 85 °C 28 Ben, SOIC
- Infineon 32k x 8 bit -40 °C SOIC
- Infineon AEC-Q100 32K x 8 Bit 85 °C 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 32K x 8 80 °C SOIC
