FM24V02A-G, I2C FRAM-hukommelse 256kbit, 32 K x 8 bit, 450ns, 2 V til 3,6 V, -40 °C til +85 °C, 8 ben, SOIC

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.

Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug

256-Kbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM logisk organiseret som 32K x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år (se tabellen med tilbageholdelse af data)
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Hurtigt serielt interface med to ledninger (I2C)
Op til 3,4 MHz frekvens[1]
Direkte udskiftning af hardware til seriel EEPROM
Understøtter tidsforbrug på 100 kHz og 400 kHz
Enheds-ID
Producent-ID og produkt-ID
Lavt effektforbrug
175-μA aktiv strøm ved 100 kHz
150-μA standby-strøm
8-μA strøm i dvaletilstand
Lavspændingsdrift: VDD = 2,0 V til 3,6 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)

FRAM (Ferroelectric RAM)

F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.