AEC-Q100 FM24V10-G, I2C FRAM-hukommelse 1Mbit, 128 K x 8 bit, 450ns, 2 V til 3,6 V, -40 °C til +85 °C, 8 ben, SOIC

Se alle FRAM

Indhold (1 rør af 97 enheder)*

Kr. 8.758,906

(ekskl. moms)

Kr. 10.948,584

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 194 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
97 +Kr. 90,298Kr. 8.758,91

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-5405
Producentens varenummer:
FM24V10-G
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Memory-størrelse

1Mbit

Organisation

128 K x 8 bit

Interface-type

I2C

Databusbredde

8bit

Random access-tid maks.

450ns

Monteringstype

Overflademontering

Kapslingstype

SOIC

Benantal

8

Dimensioner

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Længde

4.97mm

Bredde

3.98mm

Driftsforsyningsspænding maks.

3,6 V

Højde

1.48mm

Driftstemperatur maks.

+85 °C

Bilindustristandarder

AEC-Q100

Antal ord

128k

Driftstemperatur min.

-40 °C

Driftsforsyningsspænding min.

2 V

Antal Bits per ord

8bit

COO (Country of Origin):
US

FRAM, Cypress Semiconductor


Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.

Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug

1-Mbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 128K x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Hurtigt serielt interface med to ledninger (I2C)
Op til 3,4 MHz frekvens
Direkte udskiftning af hardware til seriel (I2C) EEPROM
Understøtter tidsforbrug på 100 kHz og 400 kHz
Enheds-ID og serienummer
Producent-ID og produkt-ID
Unikt serienummer (FM24VN10)
Lavt effektforbrug
175 μA aktiv strøm ved 100 kHz
90 μA (typ) standbystrøm
5 μA (typisk) strøm i dvaletilstand
Lavspændingsdrift: VDD = 2,0 V til 3,6 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
8-polet hus med lille omrids integreret kredsløb (SOIC)


FRAM (Ferroelectric RAM)


F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.

Relaterede links