FM18W08-SGTR, I2C FRAM-hukommelse 256kbit, 32K x 8, 70ns, 28 ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 273-5303
- Producentens varenummer:
- FM18W08-SGTR
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 71.950,00
(ekskl. moms)
Kr. 89.940,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 71,95 | Kr. 71.950,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5303
- Producentens varenummer:
- FM18W08-SGTR
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Memory-størrelse | 256kbit | |
| Organisation | 32K x 8 | |
| Interface-type | I2C | |
| Databusbredde | 8bit | |
| Random access-tid maks. | 70ns | |
| Kapslingstype | SOIC | |
| Benantal | 28 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Memory-størrelse 256kbit | ||
Organisation 32K x 8 | ||
Interface-type I2C | ||
Databusbredde 8bit | ||
Random access-tid maks. 70ns | ||
Kapslingstype SOIC | ||
Benantal 28 | ||
Infineon FRAM-hukommelse er en 32 K x 8 ikke-flygtig hukommelse, der læser og skriver på samme måde som en standard SRAM. En ferroelektrisk hukommelse med tilfældig adgang eller FRAM er ikke-flygtig, hvilket betyder, at detaljer bevares, efter at strømmen er fjernet. Den giver dataopbevaring i over 151 år, samtidig med at den eliminerer pålidelighedsproblemer, funktionelle ulemper og systemdesignkompleksiteter for batteribaseret SRAM. Hurtig skrivetiming og høj skriveudholdenhed gør FRAM bedre end andre typer hukommelse.
I overensstemmelse med RoHS
Lavt strømforbrug
Kompatibel med SRAM og EEPROM
Bedre end batteribaserede SRAM-moduler
Modstandsdygtig over for underskud ved negativ spænding
Lavt strømforbrug
Kompatibel med SRAM og EEPROM
Bedre end batteribaserede SRAM-moduler
Modstandsdygtig over for underskud ved negativ spænding
