Infineon, Parallel FRAM 64 kB, 8k x 8 bit, 70 ns, 85 °C, -40 °C, 28 Ben, SOIC-28

Infineon FRAM er en 8 K x 8 ikke-flygtig hukommelse, der læser og skriver på samme måde som en standard SRAM. En ferroelektrisk hukommelse med tilfældig adgang eller FRAM er ikke-flygtig, hvilket betyder, at data bevares, efter at strømmen er fjernet. Den giver dataopbevaring i over 151 år, samtidig med at den eliminerer pålidelighedsproblemer, funktionelle ulemper og systemdesignkompleksiteter for batteribaseret SRAM. Hurtig skrivetiming og høj skriveudholdenhed gør FRAM bedre end andre typer hukommelse. Dens funktion svarer til andre RAM-enheder, og den kan derfor bruges som erstatning for en standard SRAM i et system. Mindste læse- og skrivecyklustider er ens. FRAM-hukommelsen er ikke-flygtig på grund af dens unikke ferroelektriske hukommelsesproces.

Lavt strømforbrug