FM16W08-SG, Parallel FRAM-hukommelse 64kbit, 8K x 8, 28 ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 273-7375
- Producentens varenummer:
- FM16W08-SG
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 43,61
(ekskl. moms)
Kr. 54,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 43,61 |
| 5 - 9 | Kr. 42,86 |
| 10 - 99 | Kr. 39,05 |
| 100 - 249 | Kr. 35,16 |
| 250 + | Kr. 32,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-7375
- Producentens varenummer:
- FM16W08-SG
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Memory-størrelse | 64kbit | |
| Organisation | 8K x 8 | |
| Interface-type | Parallel | |
| Databusbredde | 8bit | |
| Kapslingstype | SOIC | |
| Benantal | 28 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Memory-størrelse 64kbit | ||
Organisation 8K x 8 | ||
Interface-type Parallel | ||
Databusbredde 8bit | ||
Kapslingstype SOIC | ||
Benantal 28 | ||
Infineon FRAM er en 8 K x 8 ikke-flygtig hukommelse, der læser og skriver på samme måde som en standard SRAM. En ferroelektrisk hukommelse med tilfældig adgang eller FRAM er ikke-flygtig, hvilket betyder, at data bevares, efter at strømmen er fjernet. Den giver dataopbevaring i over 151 år, samtidig med at den eliminerer pålidelighedsproblemer, funktionelle ulemper og systemdesignkompleksiteter for batteribaseret SRAM. Hurtig skrivetiming og høj skriveudholdenhed gør FRAM bedre end andre typer hukommelse. Dens funktion svarer til andre RAM-enheder, og den kan derfor bruges som erstatning for en standard SRAM i et system. Mindste læse- og skrivecyklustider er ens. FRAM-hukommelsen er ikke-flygtig på grund af dens unikke ferroelektriske hukommelsesproces.
Lavt strømforbrug
Kompatibel med SRAM og EEPROM
Høj holdbarhed 100 billioner læsning og skrivning
Avanceret ferroelektrisk proces med høj pålidelighed
Fremragende mod fugt og stød med vibrationer
Kompatibel med SRAM og EEPROM
Høj holdbarhed 100 billioner læsning og skrivning
Avanceret ferroelektrisk proces med høj pålidelighed
Fremragende mod fugt og stød med vibrationer
