AEC-Q100 FM1808B-SG, Parallel FRAM-hukommelse 256kbit, 32 K x 8 bit, 70ns, 4,5 V til 5,5 V, -40 °C til +85 °C, 28 ben,
- RS-varenummer:
- 124-2981
- Producentens varenummer:
- FM1808B-SG
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 94,46
(ekskl. moms)
Kr. 118,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 832 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 94,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-2981
- Producentens varenummer:
- FM1808B-SG
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Memory-størrelse | 256kbit | |
| Organisation | 32 K x 8 bit | |
| Interface-type | Parallel | |
| Databusbredde | 8bit | |
| Random access-tid maks. | 70ns | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Kapslingstype | SOIC | |
| Benantal | 28 | |
| Dimensioner | 18.11 x 7.62 x 2.37mm | |
| Længde | 18.11mm | |
| Driftsforsyningsspænding maks. | 5,5 V | |
| Bredde | 7.62mm | |
| Højde | 2.37mm | |
| Driftstemperatur maks. | +85 °C | |
| Antal ord | 32K | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Driftstemperatur min. | -40 °C | |
| Antal Bits per ord | 8bit | |
| Driftsforsyningsspænding min. | 4,5 V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Memory-størrelse 256kbit | ||
Organisation 32 K x 8 bit | ||
Interface-type Parallel | ||
Databusbredde 8bit | ||
Random access-tid maks. 70ns | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Kapslingstype SOIC | ||
Benantal 28 | ||
Dimensioner 18.11 x 7.62 x 2.37mm | ||
Længde 18.11mm | ||
Driftsforsyningsspænding maks. 5,5 V | ||
Bredde 7.62mm | ||
Højde 2.37mm | ||
Driftstemperatur maks. +85 °C | ||
Antal ord 32K | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
Driftstemperatur min. -40 °C | ||
Antal Bits per ord 8bit | ||
Driftsforsyningsspænding min. 4,5 V | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) er energibesparende og har den højeste pålidelighed af ikke-flygtig RAM til både serielle og parallelle interfaces. Dele med suffiks A er beregnet til brug i biler og er AEC-Q100 kvalificeret.
Ikke-flygtig Ferroelectric RAM hukommelse
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
Hurtig skrivehastighed
Høj varighed
Lavt effektforbrug
256-Kbit ferroelektrisk Random Access Memory (F-RAM) logisk organiseret som 32 K x 8
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Kompatibel med SRAM og EEPROM
Industristandard 32 K x 8 SRAM og EEPROM-udgang
70-ns adgangstid, 130-ns cyklustid
Fremragende til SRAM-moduler med batteribackup
Ingen batteriproblemer
Monolitisk pålidelighed
Ægte overflademonteringsløsning, ingen ændringsarbejde
Uovertruffen til fugt, stød og vibrationer
Resistent over for underskud med negativ spænding
Lavt effektforbrug
Aktiv strøm 15 mA (maks.)
Standbystrøm 25 μA (typisk)
Spændingsdrift: VDD = 4,5 V til 5,5 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
28-polet hus med lille kontur, integreret kredsløb (SOIC)
High-holdence 100 billioner (1014) læse/skrive
Lagring af data for 151 år.
NoDelay™ skriver
Advanced ferroelectric-proces med høj pålidelighed
Kompatibel med SRAM og EEPROM
Industristandard 32 K x 8 SRAM og EEPROM-udgang
70-ns adgangstid, 130-ns cyklustid
Fremragende til SRAM-moduler med batteribackup
Ingen batteriproblemer
Monolitisk pålidelighed
Ægte overflademonteringsløsning, ingen ændringsarbejde
Uovertruffen til fugt, stød og vibrationer
Resistent over for underskud med negativ spænding
Lavt effektforbrug
Aktiv strøm 15 mA (maks.)
Standbystrøm 25 μA (typisk)
Spændingsdrift: VDD = 4,5 V til 5,5 V.
Industriel temperatur: -40 °C til +85 °C.
28-polet hus med lille kontur, integreret kredsløb (SOIC)
FRAM (Ferroelectric RAM)
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory) er en ikke-flygtig hukommelse, der anvender ferroelektrisk film som en kondensator til lagring af data. F-RAM besidder egenskaber fra både ROM- og RAM-enheder og giver højhastighedsadgang, høj varighed i skrivetilstand, lavt effektforbrug, ikke-flygtighed og fremragende modstand mod indgreb. Den er derfor den ideelle hukommelse til brug i smart cards, hvor der kræves høj sikkerhed og lavt effektforbrug, såvel som i mobiltelefoner og andre enheder.