STMicroelectronics, Gate-driver 2, 1.25 mA, 18 Ben 6.6V, QFN-18L
- RS-varenummer:
- 648-110
- Producentens varenummer:
- STDRIVEG210Q
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 18,25
(ekskl. moms)
Kr. 22,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 18,25 |
| 10 - 24 | Kr. 16,16 |
| 25 - 99 | Kr. 14,36 |
| 100 - 499 | Kr. 10,85 |
| 500 + | Kr. 10,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 648-110
- Producentens varenummer:
- STDRIVEG210Q
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Gate-driver | |
| Udgangsstrøm | 1.25mA | |
| Benantal | 18 | |
| Emballagetype | QFN-18L | |
| Faldtid | 11ns | |
| Stigetid | 22ns | |
| Forsyningsspænding min. | 6.6V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Forsyningsspænding maks. | 6.6V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Længde | 5mm | |
| Serie | STDRIVEG210 | |
| Bredde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017: 2kV, ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018: 1kV | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Gate-driver | ||
Udgangsstrøm 1.25mA | ||
Benantal 18 | ||
Emballagetype QFN-18L | ||
Faldtid 11ns | ||
Stigetid 22ns | ||
Forsyningsspænding min. 6.6V | ||
Antal drivere 2 | ||
Forsyningsspænding maks. 6.6V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Længde 5mm | ||
Serie STDRIVEG210 | ||
Bredde 4mm | ||
Standarder/godkendelser ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017: 2kV, ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018: 1kV | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
STMicroelectronics halvbro gate-driver er optimeret til N-kanals forstærket tilstand GaN-transistorer og understøtter op til 220 V drift via en integreret bootstrap-diode. Den leverer højhastighedsskiftning med minimal udbredelsesforsinkelse, matchende timing og robust strømdrift takket være integrerede LDO'er. Den er designet til både bløde og hårde skiftetilstande og har hurtig opvågning, interlock-beskyttelse og skræddersyede UVLO'er for at øge effektiviteten under udbrud.
Separate logiske indgange og nedlukningspin
Fejlstift til rapportering af overtemperatur og UVLO
Standby-funktion til lavt forbrug
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- STMicroelectronics 1.35 mA QFN-18L
- STMicroelectronics Gate-driver 1.8 A QFN
- STMicroelectronics Gate-driver 31 Ben 15V, QFN
- STMicroelectronics 31 Ben, QFN
- STMicroelectronics Høj side 10 mA QFN
- STMicroelectronics Gate-driver 1 A QFN (10 x 10 mm) 72L
- STMicroelectronics Gate-driver 350 mA QFN (10 x 10 mm) 72L
- STMicroelectronics Høj spænding 16 A QFN