STMicroelectronics Gate-driver, Gate-driver 2, 1.8 A, 18 Ben 20V, QFN
- RS-varenummer:
- 734-275
- Producentens varenummer:
- STDRIVEG612QTR
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 25,73
(ekskl. moms)
Kr. 32,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 231 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 25,73 |
| 10 - 24 | Kr. 19,45 |
| 25 - 99 | Kr. 17,95 |
| 100 - 249 | Kr. 16,16 |
| 250 + | Kr. 15,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 734-275
- Producentens varenummer:
- STDRIVEG612QTR
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Gate-driver | |
| Udgangsstrøm | 1.8A | |
| Benantal | 18 | |
| Emballagetype | QFN | |
| Faldtid | 13ns | |
| Driver-type | Gate-driver | |
| Stigetid | 22ns | |
| Forsyningsspænding min. | 3.3V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Forsyningsspænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHs Compliant | |
| Bredde | 4mm | |
| Serie | STDR | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 5mm | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Gate-driver | ||
Udgangsstrøm 1.8A | ||
Benantal 18 | ||
Emballagetype QFN | ||
Faldtid 13ns | ||
Driver-type Gate-driver | ||
Stigetid 22ns | ||
Forsyningsspænding min. 3.3V | ||
Antal drivere 2 | ||
Forsyningsspænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser RoHs Compliant | ||
Bredde 4mm | ||
Serie STDR | ||
Højde 1mm | ||
Længde 5mm | ||
Monteringstype Overflade | ||
- COO (Country of Origin):
- SG
STMicroelectronics højhastigheds halvbro gate-driver er designet til at levere præcis og effektiv styring af forbedrede GaN HEMT'er med en 5 V gate-driver. Dens high-side driver-sektion understøtter spændingsskinner op til 600 V, hvilket gør den velegnet til krævende strømkonverteringsanvendelser. Med ultrahurtig opstart, lav udbredelsesforsinkelse og avancerede beskyttelsesfunktioner sikrer den pålidelig drift i højfrekvente switching-miljøer.
Separate sink- og kildebaner med 1,8 A sink og 0,8 A kildekapacitet
Lineære regulatorer med høj side og lav side giver 5 V gate driftsspænding
Udbredelsesforsinkelse på 50 ns med minimum udgangsimpuls på 15 ns
Komparator til registrering af overstrøm med Smart Shutdown og fejlrapporteringsfunktioner
Relaterede links
- STMicroelectronics Gate-driver 1.8 A QFN
- STMicroelectronics Høj side 10 mA QFN
- STMicroelectronics Gate-driver 1 A QFN (10 x 10 mm) 72L
- STMicroelectronics Gate-driver 350 mA QFN (10 x 10 mm) 72L
- STMicroelectronics Gate-driver 31 Ben 15V, QFN
- STMicroelectronics 1.35 mA QFN-18L
- STMicroelectronics 1.25 mA QFN-18L
- Infineon 1.8 A 20V, SOIC