Infineon Gate-driver, Power MOSFET- og IGBT-driver med høj hastighed 1, 130 mA, 8 Ben 600V, SOIC

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 9.962,50

(ekskl. moms)

Kr. 12.452,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,985Kr. 9.962,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
217-7192
Producentens varenummer:
IR25602STRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Power MOSFET- og IGBT-driver med høj hastighed

Udgangsstrøm

130mA

Benantal

8

Emballagetype

SOIC

Faldtid

90ns

Antal udgange

2

Driver-type

Gate-driver

Stigetid

170ns

Forsyningsspænding min.

10V

Antal drivere

1

Forsyningsspænding maks.

600V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Serie

IR25602

Bredde

4mm

Standarder/godkendelser

JEDEC JESD 47

Højde

1.75mm

Længde

5mm

Monteringstype

Overflade

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600 V half-bridge driver IC med typisk 0,21 A kilde og 0,36 A sink-strøm i SOIC-hus med 8 ledninger til IGBT'er og MOSFET'er.

Flydende kanal beregnet til bootstrap-drift

Fuldt funktionsdygtig til +600 V

Tolerant over for negativ transientspænding

dV/dt-immun

Gate-drevforsyningsinterval fra 10 til 20 V

Nedlukning ved underspænding

Kompatibel med 3,3 V, 5 V og 15 V indgang

Kryds-konduktiv forebyggelseslogik

Internt indstillet dødtid

Høj side udgang i fase med indgang

Luk input slukker for begge kanaler

Matchet signalforsinkelse for begge kanaler

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.