Infineon MOSFET, Power MOSFET- og IGBT-driver med høj hastighed 2, 290 mA, 8 Ben 25V, DSO
- RS-varenummer:
- 226-6023
- Producentens varenummer:
- 2ED2109S06FXUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 65,23
(ekskl. moms)
Kr. 81,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.380 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 6,523 | Kr. 65,23 |
| 50 - 90 | Kr. 6,201 | Kr. 62,01 |
| 100 - 240 | Kr. 5,932 | Kr. 59,32 |
| 250 - 490 | Kr. 5,67 | Kr. 56,70 |
| 500 + | Kr. 5,281 | Kr. 52,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 226-6023
- Producentens varenummer:
- 2ED2109S06FXUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Power MOSFET- og IGBT-driver med høj hastighed | |
| Udgangsstrøm | 290mA | |
| Benantal | 8 | |
| Faldtid | 80ns | |
| Emballagetype | DSO | |
| Antal udgange | 2 | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 150ns | |
| Forsyningsspænding min. | 20V | |
| Antal drivere | 2 | |
| Forsyningsspænding maks. | 25V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Længde | 4.9mm | |
| Bredde | 3.9mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | 2ED2109 (4) S06F (J) | |
| Højde | 1.72mm | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Power MOSFET- og IGBT-driver med høj hastighed | ||
Udgangsstrøm 290mA | ||
Benantal 8 | ||
Faldtid 80ns | ||
Emballagetype DSO | ||
Antal udgange 2 | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 150ns | ||
Forsyningsspænding min. 20V | ||
Antal drivere 2 | ||
Forsyningsspænding maks. 25V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Længde 4.9mm | ||
Bredde 3.9mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22 | ||
Serie 2ED2109 (4) S06F (J) | ||
Højde 1.72mm | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 2ED2109S06F er en højspændings, højhastigheds MOSFET og IGBT driver med uafhængige høj- og lavside-refererede udgangskanaler. Den er baseret på SOI-teknologi der er en fremragende robusthed og støjimmunitet med mulighed for at opretholde driftslogik ved negative spændinger på op til -11 von VS ben på transientspænding. Udgangsdriverne har et bufferstadie med høj impulsstrøm, der er designet til minimal overledning af driver.
Flydende kanal beregnet til bootstrap-drift
Driftsspændinger (VS-node) op til + 650 V.
Maks. bootstrap-spænding (VB-node) på + 675 V.
Integreret ultrahurtig bootstrap-diode med lav modstand