Infineon Gate-driver, Power MOSFET- og IGBT-driver med høj hastighed 1, 130 mA, 8 Ben 600V, SOIC

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 91,08

(ekskl. moms)

Kr. 113,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.840 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 4,554Kr. 91,08

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-7193
Producentens varenummer:
IR25602STRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Power MOSFET- og IGBT-driver med høj hastighed

Udgangsstrøm

130mA

Benantal

8

Emballagetype

SOIC

Faldtid

90ns

Driver-type

Gate-driver

Antal udgange

2

Stigetid

170ns

Forsyningsspænding min.

10V

Forsyningsspænding maks.

600V

Antal drivere

1

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.75mm

Serie

IR25602

Bredde

4mm

Standarder/godkendelser

JEDEC JESD 47

Længde

5mm

Monteringstype

Overflade

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600 V half-bridge driver IC med typisk 0,21 A kilde og 0,36 A sink-strøm i SOIC-hus med 8 ledninger til IGBT'er og MOSFET'er.

Flydende kanal beregnet til bootstrap-drift

Fuldt funktionsdygtig til +600 V

Tolerant over for negativ transientspænding

dV/dt-immun

Gate-drevforsyningsinterval fra 10 til 20 V

Nedlukning ved underspænding

Kompatibel med 3,3 V, 5 V og 15 V indgang

Kryds-konduktiv forebyggelseslogik

Internt indstillet dødtid

Høj side udgang i fase med indgang

Luk input slukker for begge kanaler

Matchet signalforsinkelse for begge kanaler

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.